外媒報導,美國政府投資價值約 10 億美元研究中心,以開發下一代極紫外光(EUV)製程技術,挑戰荷蘭產業領導者艾司摩爾 (ASML)。
美國砸錢建構 EUV 設備與技術研究,瞄準與 ASML 競爭市場 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 11 月 04 日 9:30 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片 |
2030 年全球晶圓廠 EUV 每年耗電量,超過新加坡或希臘用電總合 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 11 月 02 日 13:30 | 分類 半導體 , 材料、設備 , 能源科技 | edit |
極紫外光(EUV)微影曝光是未來幾年現代半導體製程技術不可或缺的關鍵,然每台 EUV 設備消耗 1,400KW 電力,相當於一個小城市的電力消耗,使 EUV 曝光系統成為一個巨大的電力消耗者,對環境產生影響。TechInsights 研究報告指出,到 2030 年,所有配備 EUV 微影設備的晶圓廠,其總耗電量將超過每年 54,000 GW,這比許多國家,包括新加坡或希臘每年消耗的電力還要多。
