拓墣觀點》英諾賽科於第三代半導體快充峰會展示全新 GaN 晶片 |
作者
拓墣產研|發布日期
2021 年 08 月 20 日 7:30 |
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以往透過降低能耗、提高電池容量增加設備續航力的效果有限，採用氮化鎵（GaN）晶片快速充電器有望成為改善續航力的主流解決方案，GaN 晶片需求亦持續攀升。7 月 30 日「全球第三代半導體快充產業峰會」於深圳舉辦，中國 GaN 大廠英諾賽科亦發表 4 款快速充電用的 GaN 晶片，分別是 INN650D150A、INN650DA150A、INN650D260A 與 INN650DA260A，4 款晶片耐壓皆可達 650V，封裝大小以 DFN 8×8 與 DFN 5×6 為主。 繼續閱讀..
「過熱感」緩解，DRAM 主流品漲勢續歇；舊世代品續揚 |
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作者
MoneyDJ|發布日期
2021 年 08 月 19 日 9:30 |
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因「過熱感」緩解，DRAM 主流品 DDR4 價格漲勢續歇，而供應量較少的「舊世代品」DDR3 價格則續揚。
AI 大廠輝達財報、財測讚，資料中心、電玩晶片營收破表 |
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作者
MoneyDJ|發布日期
2021 年 08 月 19 日 9:10 |
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