傳三星、SK 海力士停產 DDR3 記憶體,帶動近期漲幅高達二成 作者 林 妤柔|發布日期 2024 年 05 月 15 日 10:20 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體 | edit 市場消息傳出,三星、SK 海力士下半年停止供應 DDR3 記憶體,目標轉向逐漸成長的 HBM3 記憶體,帶動近期 DDR3 價格上漲,最高幅度達二成。 繼續閱讀..
三星 HBM3E 沒過輝達驗證,原因與台積電有關 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 05 月 15 日 9:20 | 分類 Samsung , 半導體 , 封裝測試 | edit 記憶體大廠美光、SK 海力士和三星 2023 年 7 月底、8 月中旬、10 月初向輝達送樣八層垂直堆疊 24GB HBM3E,美光和 SK 海力士 HBM3E 2023 年初通過輝達驗證,並獲訂單,三星 HBM3E 卻未通過驗證。 繼續閱讀..
全球瘋半導體!不僅台積電,三星、SK 海力士外資持股比重也創高 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 05 月 14 日 17:45 | 分類 半導體 , 記憶體 , 證券 | edit 眾所周知,晶圓代工龍頭台積電外資持股比例超過七成。全球半導體產業持續發展,外資大幅加碼持股半導體類股成為趨勢。韓國媒體報導,繼韓國三星外資持股比例創 41 個月新高後,SK 海力士也在 4 月創外資持股比重歷史新高。 繼續閱讀..
三星、SK 海力士 HBM 都賣光,急調二成 DRAM 產能助陣 作者 MoneyDJ|發布日期 2024 年 05 月 14 日 12:15 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體 | edit 受到 AI 需求熱潮,三星電子(Samsung Electronics Co.)透露,手上的高頻寬記憶體(HBM)也全部賣光。三星、SK 海力士(SK Hynix Inc.)並異口同聲預測,今年 DRAM 及 HBM 報價都可望走堅。 繼續閱讀..
SK 海力士加速 HBM4E 研發拚 2026 量產,比原訂早一年 作者 MoneyDJ|發布日期 2024 年 05 月 14 日 10:45 | 分類 半導體 , 記憶體 | edit SK 海力士(SK hynix)最新一代記憶體產品 HBM4E 醞釀中,2026 年有望量產,比原先預估的時程提早約一年。 繼續閱讀..
記憶體價格持續上揚,擴產也無法暫停漲勢 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 05 月 14 日 10:00 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體 | edit 近期記憶體市場 AI 需求帶動,價格持續高漲,記憶體廠商持續受惠,營運擺脫低潮多數轉虧為盈。市場消息指出,需求持續成長,即便供應商擴產,價格漲勢也回不去了。 繼續閱讀..
SK 海力士子公司擬售無錫廠近 50% 股份,予當地政府投資企業 作者 林 妤柔|發布日期 2024 年 05 月 09 日 10:18 | 分類 中國觀察 , 半導體 , 晶圓 | edit 先前有報導稱,SK 海力士已決定將在中國經營代工廠的子公司設備出售給中國無錫市當地政府的一間投資公司。對此,SK 海力士表示,公司在 2018 年 7 月為了在中國無錫建設工廠,與無錫產業發展集團設立合作法人時,已達成協議依次進行該流程。 繼續閱讀..
HBM4 成韓系記憶體下個戰場,三星自認有優勢奪回領先 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 05 月 07 日 13:15 | 分類 Samsung , 半導體 , 記憶體 | edit 人工智慧市場需求大增,HBM 供不應求,SK 海力士表示今明兩年 HBM 都預訂一空,一直希望追上 SK 海力士的三星,也傳出採雙軌開發 HBM 產品。 繼續閱讀..
晶片製造邁入「零度以下」:SK 海力士擬在 -70°C 生產 3D NAND 作者 林 妤柔|發布日期 2024 年 05 月 07 日 11:59 | 分類 晶片 , 材料、設備 , 記憶體 | edit SK 海力士正在測試東京威力科創(TEL)最新的低溫蝕刻工具,可在 -70°C 工作,以實現 400 層以上新型 3D NAND。 繼續閱讀..
韓媒:輝達疑煽動三星、SK 海力士競爭,壓價 HBM 作者 MoneyDJ|發布日期 2024 年 05 月 03 日 12:45 | 分類 國際貿易 , 記憶體 | edit 韓媒傳出,輝達(Nvidia Corp.)似乎故意煽動三星電子(Samsung Electronics)、SK 海力士(SK hynix)彼此競爭,看看能否順勢壓低高頻寬記憶體(HBM)的價格。 繼續閱讀..
HBM 超夯!SK 海力士:今年全賣光、明年 HBM 產能基本售罄 作者 林 妤柔|發布日期 2024 年 05 月 02 日 12:49 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體 | edit SK 海力士今(2 日)執行長郭魯正指出,目前公司 HBM 產能今年已經全部售罄,明年也基本售罄。從技術看,SK 海力士預計今年 5 月提供世界最高性能的 12 層堆疊 HBM3E 產品的樣品,並準備第三季開始量產。 繼續閱讀..
為追上三星,SK 海力士年底量產 1c DRAM 記憶體 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 05 月 02 日 10:50 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體 | edit 韓國記憶體大廠 SK 海力士加速第六代 10 奈米級 (1c) DRAM 記憶體量產,預定年底達成,縮小與 DRAM 市場領導者三星電子的差距。 繼續閱讀..
AI 爆棚 SK 海力士 Q1 營收翻倍、轉盈,遭獲利了結 作者 MoneyDJ|發布日期 2024 年 04 月 25 日 12:00 | 分類 半導體 , 記憶體 , 財報 | edit 韓國半導體巨頭 SK 海力士(SK hynix)4 月 25 日揭曉最新財報,受惠 AI 推動記憶體需求大爆發,第一季營收翻倍激增,不僅成功轉盈,更一舉交出史上同月次高獲利。SK 海力士在高頻寬記憶體(HBM)領域獨霸一方,過去 12 個月來,股價猛飆 94%。 繼續閱讀..
SK 海力士宣布清州 M15X 為 DRAM 生產基地,明年 11 月完工量產 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 04 月 24 日 20:00 | 分類 半導體 , 記憶體 , 財經 | edit 韓國記憶體大廠 SK 海力士宣布,為應付 AI 半導體需求劇增,擴充 AI 基礎設施核心產品,即 HBM 等新 DRAM 產能,董事會決議通過,建設忠清北道清州市 M15X 產線為新 DRAM 生產基地,並投資晶圓廠建設約 5.3 兆韓圜。 繼續閱讀..
晶圓代工產能過剩、HBM 市場過熱,韓媒稱 AI 半導體大戰開打 作者 林 妤柔|發布日期 2024 年 04 月 23 日 17:15 | 分類 AI 人工智慧 , IC 設計 , 半導體 | edit 隨著 AI 半導體競爭不斷加劇,晶圓代工產業因需求停滯和產能過剩,面臨新挑戰。AI 關鍵的高頻寬記憶體(HBM),也陷入主導地位爭奪戰。 繼續閱讀..