Tag Archives: HBM4

2025 年 AI 晶片革命 HBM 市場分析預測未來走向
作者 |發布日期 2024 年 10 月 30 日 7:30 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 技術分析

HBM 為 AI 晶片的關鍵組件，持續於 AI 伺服器、資料中心、自駕車、智慧型消費電子等高效能運算領域不斷拓寬，且 HBM 開發週期縮短至一年，HBM4 晶片商也開始啟動客製化要求，未來可能不再排列在 SoC 主晶片旁，而是堆疊在 SoC 晶片上，此時垂直堆疊問題也逐一顯現，如散熱、分工與成本等。 繼續閱讀..

HBM4 勝出關鍵在 Base Die 和客製化，SK 海力士、三星紛與台積結盟
作者 |發布日期 2024 年 09 月 09 日 16:42 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

隨著 SEMICON Taiwan 圓滿落幕，本次最大亮點之一莫過於邀請記憶體大廠 SK 海力士和三星高層來台開講，值得注意的是，HBM4 將實現記憶體一大躍進，兩間公司也強調對台積電的合作關係，意味先進封裝、與台積電合作成 HBM 戰場關鍵。 繼續閱讀..

HBM3e 產出放量帶動，年底 HBM 投片量占先進製程 35%
作者 |發布日期 2024 年 05 月 20 日 14:47 |
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分類 AI 人工智慧 , 晶片 , 記憶體

TrendForce 研究，三大原廠開始提高先進製程投片，繼記憶體合約價翻揚後，公司資金增加，產能提升集中在下半年，1 alpha 奈米以上投片至年底將占 DRAM 總投片比重約 40%。HBM 獲利表現佳，加上需求持續看增，故生產順序最優先。但受限良率僅約 50%~60%，且晶圓面積較 DRAM 產品放大逾 60%，即占投片比重高。以各家 TSV 產能看，至年底 HBM 將占先進製程 35%，其餘生產 LPDDR5（X）與 DDR5 產品。 繼續閱讀..

結合 N12FFC+ 和 N5 製程技術，台積電準備 HBM4 基礎晶片生產
作者 |發布日期 2024 年 05 月 17 日 9:45 |
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分類 IC 設計 , 半導體 , 封裝測試

針對當前 AI 市場的需求，預計新一代 HBM4 記憶體將與當前的 HBM 產品有幾項主要的變化，其中最重要的就是記憶體堆疊連結介面標準，將從原本就已經很寬的 1024 位元，進一步轉向倍增到超寬的 2048 位元，這使得 HBM4 記憶體堆疊連結將不再像往常一樣，晶片供應商將需要採用比現在更先進的封裝方法，來容納堆疊連結介面超寬的記憶體。

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