供需失衡態勢難止，NAND Flash 供應商 2019 年資本支出年減 2% |
作者
TechNews|發布日期
2019 年 01 月 10 日 14:52 |
|
TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）指出，NAND Flash 市場經歷 2018 年全年供過於求，2019 年在筆記型電腦、智慧型手機、伺服器等主要需求表現難見起色下，預計產能過剩難解，因而使得供應商進一步降低資本支出以放緩擴產進程，避免位元成長過多導致過剩狀況加劇。 繼續閱讀..
營業祕密外洩案逐年增加，業者盼加速審理判決 |
|
作者
中央社|發布日期
2019 年 01 月 08 日 14:40 |
|
科技業又傳出竊密案，經濟部智慧財產局指出，近年地檢署受理偵查案件有逐年上升趨勢，業者多認為台灣在侵害營業祕密案件上刑度已足夠，但希望能更加快判決審理速度。 繼續閱讀..
日經：聯電轉移 DRAM 研發部門員工，最終將停止 DRAM 研發計畫 |
|
作者
Atkinson|發布日期
2019 年 01 月 04 日 20:30 |
|
根據《日本經濟新聞》的報導，日前被美國司法部以商業間諜罪名起訴的台灣聯電，以及中國的合作夥伴──福建晉華目前正在進行組織的重整與人員的變動動作。也就是在美國對福建晉華施行禁售令的情況下，聯電除了日前宣布將停止與福建晉華在 DRAM 記憶體開發上的合作之外，還將公司內半數在 DRAM 記憶體部門的工作人員移往新的職位。對於聯電的動作，消息人士表示，這是聯電停止開發 DRAM 記憶體的第一步。
需求持續不振，2019 年 DRAM 投資與位元產出同步放緩 |
|
作者
TechNews|發布日期
2019 年 01 月 02 日 14:30 |
|
根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）最新調查，2018 年第四季 DRAM 合約價格較前一季大幅修正約 10% 後，2019 年由於 PC、伺服器與智慧型手機等終端產品需求疲軟，因此 DRAM 主要供應商紛紛放緩新增產能腳步，以期減緩價格跌勢。 繼續閱讀..
不畏半導體逆風來襲，SK 海力士動工興建第 7 座半導體工廠 |
|
作者
Atkinson|發布日期
2018 年 12 月 20 日 17:20 |
|
隨著 NAND Flash 快閃記憶體及 DRAM 價格不斷下跌，2019 年記憶體市場將迎接逆風。而為了應付降價導致的損失，包括記憶體大廠三星、SK 海力士（SK Hynix）及美光都計劃減少資本支出。不過，降低成本支出並不意味著他們不再建設工廠了，就在本週，SK Hynix 正式開工建設第 7 座半導體工廠──M16 廠，總投資不低於 15 兆韓圜（約 133 億美元）。雖然還沒確定最終生產 NAND Flash 還是 DRAM，但是這座晶圓廠確定將會採用最先進的 EUV 光刻技術。
記憶體逆風維持到 2019 上半年，三星與 SK 海力士業績不樂觀 |
|
作者
Atkinson|發布日期
2018 年 12 月 20 日 9:00 |
|
就在 19 日，美國記憶體大廠美光（Micron）因為在 DRAM、NAND Flash 快閃記憶體等價格下降的狀況下，使得 2019 財年首季（2018 年 9 到 11 月）財報繳出營收及第 2 季營運預期都不如分析師的預估下，造成當日美光股價在美股盤後交易大跌近 9% 的幅度。這也使外界開始憂慮，目前記憶體市佔率大於美光，分占市場前兩大的南韓三星及 SK 海力士，接下來要發表的季財報結果，也將會受到不小的衝擊。
美光首季財報及營運展望不如預期，盤後跌近 9%，拖累台股記憶體個股 |
|
作者
Atkinson|發布日期
2018 年 12 月 19 日 10:15 |
|
記憶體大廠美光 （Micron） 在 19 日發佈了該公司的 2019 財年首季財報。根據財報指出，美光首季營收為 79.13 億美元，相較 2018 財年同期的 68.03 億美元，成長 16%，淨利達 32.93 億美元，也同樣成長 23%。而雖然美光 2019 財年首季的財報，在每股 EPS 的表現超出華爾街分析師預期。但是，在營收及第 2 季業績展望也不如預期的情況下，導致其盤後股價大跌近 9%。
美光為聯發科最新 Helio 智慧型手機平台提供業界最高容量的單片行動記憶體 |
|
作者
TechNews|發布日期
2018 年 12 月 14 日 15:30 |
|
美光科技公司為創新記憶體和儲存解決方案廠商，13 日宣布其「單片 12Gb 低功耗雙倍數據傳輸速率 4X（LPDDR4X）DRAM」已通過聯發科最新 Helio P90 智慧型手機平台參考設計的使用驗證。美光的 LPDDR4X 能為單支智慧型手機提供高達 12GB1 的低功耗 DRAM（LPDRAM），並透過在單一封裝內堆疊 8 層晶片，在不增加尺寸大小的情況下，使記憶體容量較前一代產品增加一倍。 繼續閱讀..
