韓國朝鮮日報報導,三星 DS 部門記憶體業務部最近完成 HBM4 高頻寬記憶體邏輯晶片的設計,Foundry 業務部方面也已經根據該設計,採 4 奈米試產。待完成邏輯晶片的最終性能驗證後,三星將提供 HBM4 樣品驗證。
三星完成 HBM4 邏輯晶片設計,採自家 4 奈米製程 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2025 年 01 月 03 日 17:15 | 分類 Samsung , 半導體 , 記憶體 |



