Tag Archives: SK 海力士

長鑫存儲積極擴大 HBM 產線，滿足中國無法取得國外產品需求
作者 |發布日期 2025 年 08 月 14 日 10:10 |
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分類 中國觀察 , 半導體 , 記憶體

外媒報導，受美國制裁影響，中國難取得 AI 用高頻寬記憶體 (HBM)，使 AI 發展也受阻。一度停滯的長鑫存儲科技 (CXMT) 大規模設備投資也因此已經重啟。重啟原因，是長鑫存儲計劃引進大量新設備擴大產能，量產最新 DRAM DDR5，並在此基礎上開發 HBM3 高頻寬記憶體產品。

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SK 海力士首次超越三星，成全球最大記憶體製造商
作者 |發布日期 2025 年 08 月 01 日 10:45 |
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分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體

2025 年第一季 SK 海力士（SK Hynix）首次超越三星電子（Samsung Electronics），成全球最大記憶體製造商，得益於人工智慧（AI）需求。三星 7 月 31 日公布財報，記憶體收入（包括 DRAM 和 NAND）截至 6 月三個月內降至 21.2 兆韓圜（約 152 億美元），SK 海力士一週前第一季收入為 21.8 兆韓圜（約 97.2 億美元），顯示兩者差距越來越大。 繼續閱讀..

三星困境都怪自己！2018 年黃仁勳曾上門尋求三大合作遭短視拒絕
作者 |發布日期 2025 年 07 月 23 日 13:00 |
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分類 AI 人工智慧 , Samsung , 半導體

三星電子的半導體產業版圖，尤其晶圓代工（Samsung Foundry）持續遭逢大挑戰，雖努力解決最先進製程低良率問題，但不免影響下代 1.4 奈米進度。熱門高頻寬記憶體（HBM）市場，三星也因無法打進 GPU 大廠輝達供應鏈，讓出記憶體龍頭寶座給競爭對手 SK 海力士。

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製程影響高通／聯發科新處理器有限，記憶體首次主導新手機售價
作者 |發布日期 2025 年 07 月 19 日 16:00 |
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分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

高通與聯發科都預計將在 2025 年稍後推出其最新一代旗艦型處理器，即 Snapdragon 8 Elite Gen 2 和天璣 9500。這兩款處理器預計將繼續採用台積電的 3 奈米製程，並很可能以改良版的 N3P 節點製程。這相較 N3E 節點製程，N3P 在效能和效率上應有更佳表現。

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