Tag Archives: SK 海力士

SK 海力士開發出 HBM3 DRAM 記憶體, 較上一代整體頻寬提高 78%

作者 |發布日期 2021 年 10 月 21 日 17:00 | 分類 晶片 , 會員專區 , 記憶體

南韓記憶體大廠 SK 海力士宣布,成功開發出 HBM3 DRAM 記憶體,是全球首家開發出新一代高頻寬記憶體 (HBM),也是 HBM 系列記憶體第四代產品。新一代 HBM3 DRAM 記憶體不僅提供更高頻寬,還堆疊更多層數 DRAM 以增加容量,提供更廣泛應用解決方案。

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2022 年需求成長力道將小於供給,DRAM 產業將進入跌價週期

作者 |發布日期 2021 年 10 月 12 日 13:50 | 分類 記憶體 , 零組件

根據 TrendForce 表示,隨著後續買方對 DRAM 的採購動能收斂,加上現貨價格領跌所帶動,第四季合約價反轉機會大,預估將下跌 3~8%,結束僅三季的上漲週期。而在買賣雙方心理博弈之際,後續供給方的擴產策略,與需求端的成長力道將成為影響 2022 年 DRAM 產業走勢最關鍵的因素。照目前進度看來,2022 年三大 DRAM 原廠的擴廠規劃其實仍顯保守,預估明年的供給位元成長率約 17.9%,然而由於目前買方庫存水位已偏高,加上 2022 年需求位元成長率僅 16.3%,低於供給端的成長速度,2022 年 DRAM 產業將由供不應求將轉至供過於求。 繼續閱讀..

韓媒:美國要求半導體廠提供資料期限為 11/8,台積電等非美系廠困擾

作者 |發布日期 2021 年 09 月 29 日 10:50 | 分類 晶圓 , 晶片 , 會員專區

媒體報導全球晶片荒衝擊美國不少產業,23 日美國白宮邀請汽車製造廠與科技公司召開線上會議商討對策後,美國商務部長 Gina Raimondo(見首圖) 受訪時指出,美國將積極控制晶片供不應求問題,包括要求晶片供應商自願提供資料。南韓媒體《BusinessKorea》報導,美國政府訂出晶片供應商自願提供資料的期限是 11 月 8 日。

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三星電子第二季銷售超車英特爾!激勵統一亞洲半導體 ETN 創高

作者 |發布日期 2021 年 08 月 03 日 17:50 | 分類 晶片 , 會員專區 , 理財

三星電子第二季半導體銷售額超車英特爾(Intel),躍居全球第一大晶片製造商,同為記憶體雙雄的 SK 海力士第二季營收也創 2018 年第三季以來新高,加上台積電 3 奈米量產時間出爐,激勵掛牌不到十天的統一亞洲半導體 ETN 創新高。

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中國廠商狂掃全球半導體設備,南韓廠商倍感壓力也加入搶購

作者 |發布日期 2021 年 07 月 19 日 16:00 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 材料、設備

由於美中地緣政治緊張,美國加強管制中國半導體設備出口,中國半導體產商擔心受出口管制波及,加強半導體設備採購,採購數量等於需求範圍再多買 1.5 套,南韓媒體報導,中國狂掃半導體市場,不但使吃緊供應更嚴重,也使南韓半導體廠商憂慮,加入搶購行列。

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挑戰三星、SK 海力士市場地位,美光開始規劃導入 EUV 曝光設備

作者 |發布日期 2021 年 07 月 03 日 10:00 | 分類 晶片 , 會員專區 , 材料、設備

就在之前包括三星、SK 海力士等南韓記憶體大廠開始啟用 EUV 曝光設備進行記憶體的生產之後,現在美商美光科技現在準備也要加入採用 EUV 曝光設備的生產行列了。根據日前美光在財報會議上所說的,目前美光正跟 EUV 曝光大廠 ASML 展開採購談判工作,預計 2024 年將開始生產採用 EUV 曝光設備所生產記憶體。

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