Tag Archives: SK海力士

需求是供應三倍,三星要縮減 NAND 與晶圓代工產線改生產 DRAM

作者 |發布日期 2025 年 11 月 21 日 16:45 | 分類 Samsung , 半導體 , 晶片

面對全球人工智慧(AI)基礎設施投資快速擴張所帶動的 DRAM 需求激增,韓國三星電子正採取重大策略轉變,該公司計劃將位於平澤和華城園區的部分 NAND 快閃記憶體生產線,轉換為 DRAM 生產設施,以應對市場的強勁需求。此外,三星亦規劃將平澤四廠(P4)設立為專門的 DRAM 生產線,並應用最新的製程技術(1c),以期最大化公司獲利。

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SK 海力士擘劃全線 AI 記憶體創造者願景,公開未來技術藍圖發展

作者 |發布日期 2025 年 11 月 03 日 13:30 | 分類 AI 人工智慧 , IC 設計 , 半導體

在 AI 應用加速普及、資訊流量爆炸性成長的時代,半導體記憶體的重要性正迅速提升。韓國記憶體大廠 SK 海力士(SK hynix)執行長 Kwak Noh-Jung 於 11 月 3 日在首爾舉行的「SK AI Summit 2025」峰會上,發表了公司「全線 AI 記憶體創造者」(Full Stack AI Memory Creator)。的新願景,以在迎接下一個AI時代之前,SK 海力士能深化其角色。

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曝光機需求優於預期,2027 年 ASML 將交貨 10 套 High-NA EUV 和 56 套 EUV

作者 |發布日期 2025 年 09 月 26 日 15:30 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶圓

隨著人工智慧(AI)浪潮帶動了半導體產業的發展,投資機構對 ASML 產品的長期需求仍保持樂觀,因為這些 AI 半導體普遍採用最新的半導體製造技術。雖然不少半導體製造商都延後引入新一代 High-NA EUV。但是從整體來看,市場對曝光設備的需求仍處於上升趨勢。

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三星 V9 QLC NAND 商業化遭遇瓶頸,能否趕上 2026 年市場爆發引發關注

作者 |發布日期 2025 年 09 月 16 日 15:00 | 分類 AI 人工智慧 , IC 設計 , 半導體

根據 ZDNet Korea 的報導,儘管人工智慧(AI)產業蓬勃發展,對高容量儲存的需求日益攀升。不過,三星電子在推進其第 9 代(V9)QLC NAND Flash 商業化的進程中卻遭遇了顯著的技術瓶頸,這使得原定於 2024 年下半年啟動首次量產的計畫,現因性能問題而延期。目前三星公司正全力進行設計及製程端的改進工作,以應對日益成長的市場需求,並鞏固其在高附加值記憶體市場的地位。

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記憶體三大原廠齊聚 SEMICOM,韓廠更喊出要強化台韓進一步合作

作者 |發布日期 2025 年 09 月 10 日 18:10 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體

隨著生成式 AI 的爆炸性成長,記憶體不再僅是輔助元件,而是人工智慧智慧的起點與關鍵驅動者。因此,在 2025 Semicon Taiwan 的記憶體論壇上,難得的全球三大記憶體大廠 SK 海力士、三星和美光同台參與活動,並透過主題演講訴說當前重新定義記憶體在 AI 時代中角色的必要性,以共同面對 AI 基礎設施在效能、功耗和擴展性方面的嚴峻挑戰,並透過創新與合作,形塑 AI 的未來。

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美國預計給予三星與 SK 海力士中國據點一年一審豁免

作者 |發布日期 2025 年 09 月 09 日 6:00 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶圓

根據彭博社的報導,美國提議對韓國三星電子、SK 海力士在中國的工廠購買美國設備與材料豁免採一年一審制。消息人士指這是一種折衷的方案,目的在防止全球電子產業受到干擾。之前,美國川普政府撤銷了自拜登時期開始,針對這兩家公司在中國據點的採購豁免,這豁免允許這兩家公司可以以更輕鬆的方式採購美國企業的相關設備與材料。

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台積電步上三星與 SK 海力士後塵,也遭川普撤銷中國南京廠採購豁免

作者 |發布日期 2025 年 09 月 02 日 22:20 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 晶圓

彭博社報導,美國商務部繼日前宣布撤銷韓國包括三星(Samsung)和 SK 海力士(SK Hynix)等記憶體製造商部分豁免,使中國生產據點無法取得更先進製造設備,影響產線更新與擴產後,美國官員已通知台積電,將終止中國南京廠同樣的「最終用戶驗證」(VEU) 身分,取消豁免,將來也無法取得更先進製造設備。

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輝達欲啟動 HBM 邏輯晶片自製加強掌控生態系,業者是否買單有待觀察

作者 |發布日期 2025 年 08 月 18 日 11:10 | 分類 GPU , IC 設計 , 半導體

市場消息指出,繪圖晶片大廠輝達(NVIDIA)已啟動高頻寬記憶體(HBM)的邏輯晶片(Base Die)自行設計計畫。未來,無論所需的 HBM 要堆疊搭配何種品牌 DRAM 記憶體,其邏輯晶片都將採用輝達的自有設計方案。預計使用 3 奈米節點製程打造,最快將於 2027 年下半年開始試產。

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