三星抓住台積電海外製程 N-2 空隙，搶攻 AMD 與 Google 下單自家 2 奈米 |
作者
TechNews 編輯台|發布日期
2025 年 12 月 23 日 17:45 |
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台積電美國和日本擴產，業界對所謂「N-2」潛規定關注度日益上升。《中央社》曾報導，可能限制台積電海外生產最先進製程，韓媒 ebn 也指出，三星準備利用此空白，吸引 AMD 和 Google 等科技巨頭，下單三星德州泰勒廠 2 奈米製程。 繼續閱讀..
記憶體需求激增，三星與 SK 海力士毛利率將首次超越台積電 |
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作者
TechNews 編輯台|發布日期
2025 年 12 月 23 日 17:15 |
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三星摺疊機持續去高通化？傳 Z Flip8 全數採用 Exynos 2600 |
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作者
邱 倢芯|發布日期
2025 年 12 月 22 日 13:38 |
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三星成熟製程獲青睞，英特爾 PCH 晶片選用三星 8 奈米生產 |
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作者
Atkinson|發布日期
2025 年 12 月 19 日 8:30 |
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外媒報導，韓國三星的晶圓代工部門在爭奪重要客戶訂單上取得顯著斬獲，儘管市場焦點多集中於三星最新研發的 2 奈米 GAA 先進製程（SF2）上，但根據消息人士透露，包含英特爾（Intel）在內的關鍵客戶，在 2025 年初開始更傾向於選擇技術較為成熟的生產線，分別為 5 奈米與 8 奈米製程。這項戰略選擇在近日獲得進一步證實，英特爾據傳已將次世代平台控制器（PCH）的生產訂單交由三星晶圓代工執行。
三星突破 10 奈米瓶頸，新電晶體有望重塑 DRAM 市場格局 |
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作者
TechNews 編輯台|發布日期
2025 年 12 月 17 日 10:10 |
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三星電子 16 日宣布，該公司及其三星先進技術研究所（SAIT）成功開發出一種新型電晶體，能夠在 10 奈米以下的製程節點上生產 DRAM，這個突破將解決行動 RAM 擴展中的關鍵挑戰。這項技術的重點在於實現小於 10 奈米的 DRAM 製程，這對於行動 RAM 來說是一個重要的障礙，因為傳統的擴展方法已經達到物理極限。 繼續閱讀..
