Galaxy S7 銷售量今年上看 5 千萬支，三星股價逾 1 年高 |
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MoneyDJ|發布日期
2016 年 06 月 21 日 12:05 |
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三星電子（Samsung Electronics Co.）於今（2016）年 2 月底釋出的旗艦智慧型手機「Galaxy S7」熱度不斷，買氣比大家原先預期更優，Susquehanna Financial Group 分析師 Mehdi Hosseini 估計，Galaxy S7 今年的銷售量將上看 5,000 萬支，遠優於 Galaxy S6 在 2015 年賣出的 4,000 萬支。
韓媒：三星西安部分停工影響 產能缺口有助快閃記憶體價格上揚 |
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Atkinson|發布日期
2016 年 06 月 21 日 9:48 |
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三星電子 19 日表示，由於 18 日凌晨中國西安變電廠爆炸所造成的供電閃斷，造成位於鄰近以生產 NAND 快閃記憶體為主的三星半導體廠生產中斷。不過，僅對不到 1 萬片晶圓生產造成影響，而該廠房將在幾天內全面恢復生產。南韓英文媒體 《The Korea Times》 對此報導指出，因為市場供應出現缺口的情況，有助於 NAND 快閃記憶體價格的上揚，反而有助於三星電子本身與對手 SK 海力士的營收。
DRAM 報價止血，三星、海力士營收有望撥雲見日 |
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MoneyDJ|發布日期
2016 年 06 月 20 日 15:00 |
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動態隨機存取記憶體（DRAM）市況趨於穩定，讓三星、SK 海力士等南韓兩大記憶體大廠本季獲利預期跟著好轉。自從 2014 年底以來，DRAM 報價已連續 19 個月下滑。 繼續閱讀..
Galaxy S8 領先 iPhone 邁入 VR 世代，傳搭載 4K 螢幕 + 雙鏡頭 |
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MoneyDJ|發布日期
2016 年 06 月 20 日 13:00 |
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三星 Galaxy S7 規格強悍，讓蘋果 iPhone 招架不住，今年整體出貨量恐首度出現衰退。最新消息指出，三星下一代 Galaxy S8 整體硬體戰力再升級，可能將再一次給 iPhone 7 迎頭痛擊。 繼續閱讀..
西安變電站爆炸三星還未復工，低於萬片晶圓毀損 |
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TechNews|發布日期
2016 年 06 月 20 日 11:55 |
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18 日凌晨中國西安南郊一處變電站突爆炸起火，造成當地一度暫時供電，由於失火處鄰近三星、美光及力成等半導體廠房，這些半導體廠也受到牽連因而停電，據悉，三星西安廠更是生產 3D NAND Flash 的重地，蘋果將推出的 iPhone 7 256 GB 機型 NAND Flash 也是由此地生產，而三星、力成在事件發生後，也陸續做出了回應。 繼續閱讀..
手機晶片 10 奈米時代即將來臨 |
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Atkinson|發布日期
2016 年 06 月 20 日 11:11 |
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受限於產品的功耗或體積等因素，智慧手機晶片廠商在採用先進製程方面表現得極為積極。近一年，包括 14 與 16 奈米的智慧手機 SoC 才剛剛問世，如高通的驍龍 820、驍龍 625、聯發科的 Helio X20 等，目前這些還屬於旗艦級手機的標準配備時，相關業者已經在考慮 10 奈米製程的進展了。根據幾家主流手機晶片大廠近期發布的消息，如果不出意外，2017 年智慧手機晶片就將進入 10 奈米時代。而這一發展也必將再次影響全球智慧手機晶片業的經營生態。
三星擬擴產 3D NAND？外資：2017 年產能將拉高近 4 成 |
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MoneyDJ|發布日期
2016 年 06 月 16 日 16:10 |
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南韓經濟日報（Korea Economic Daily）15 日報導，三星電子（Samsung Electronics Co.）打算在 2017 年底前擴充 3D NAND 型快閃記憶體產能，總共要斥資 25 兆韓圜，主要擴產的是位於中國西安的廠房，預定今年稍晚會於該廠新設一條 3D NAND 生產線，另外還將在南韓平澤市的廠房投入資本。雖然根據韓國時報報導，三星電子已在 15 日稍早否認上述消息，宣稱 3D NAND 的投資內容尚未敲定，但分析師似乎認為韓媒的報導內容相當可信。 繼續閱讀..
