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聯電推出業界首項 RFSOI 3D IC 解決方案,減少 RF 晶片 45% 面積

作者 |發布日期 2024 年 05 月 02 日 15:45 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

就在當前成熟製程有產能過剩疑慮,使得各家以成熟製程為主的晶圓代工廠,開始發展利基型產品,以突圍出自己的一片天空之際,晶圓代工大廠聯電宣布,推出業界首項 RFSOI 製程技術的 3D IC 解決方案,此 55 奈米 RFSOI 製程平台上所使用的矽堆疊技術,在不損耗射頻 (RF) 效能下,可將晶片尺寸縮小 45% 以上,使客戶能夠有效率地整合更多射頻元件,以滿足 5G 更大的頻寬需求。

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