Navitas 推 10kW 全 GaN DC-DC 平台，瞄準 AI 資料中心 HVDC 電源架構 |
作者
蘇 子芸|發布日期
2026 年 02 月 10 日 11:08 |
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功率半導體業者 Navitas Semiconductor 宣布推出 10kW 全 GaN DC-DC 電源平台，峰值效率達 98.5%、開關頻率達 1MHz，並在全磚尺寸封裝中實現 2.1 kW/in³ 的功率密度，鎖定新一代 AI 資料中心朝向 800V 高壓直流（HVDC）架構的電力需求。 繼續閱讀..
納微打入 NVIDIA 供應鏈！高壓直流架構有望成 AI 資料中心趨勢 |
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作者
林 妤柔|發布日期
2025 年 05 月 22 日 11:11 |
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納微半導體宣佈與 NVIDIA 合作開發新一代 800 V 高壓直流（HVDC）電力架構，將支援包括 Rubin Ultra 在內 GPU 的機架級系統供電。消息一出，納微半導體週三（21 日）盤後股價飆漲逾 180%。 繼續閱讀..
為 NVIDIA 資料中心開發新電源架構，納微半導體盤後飆 200% |
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作者
黃 嬿|發布日期
2025 年 05 月 22 日 10:28 |
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AI 資料中心已經成為全球科技基礎建設，美國成為這波工業革命的核心，最近在沙烏地阿拉伯的大陣仗就看出 AI 技術攻勢的力道。同時也帶動整個供應鏈崛起，包括第三類半導體大廠納微半導體 (Navitas Semiconductor) 因打入 Nvidia 供應鏈，美股盤後股價一度飆漲 200%。 繼續閱讀..
拓墣觀點》英諾賽科於第三代半導體快充峰會展示全新 GaN 晶片 |
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作者
拓墣產研|發布日期
2021 年 08 月 20 日 7:30 |
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以往透過降低能耗、提高電池容量增加設備續航力的效果有限，採用氮化鎵（GaN）晶片快速充電器有望成為改善續航力的主流解決方案，GaN 晶片需求亦持續攀升。7 月 30 日「全球第三代半導體快充產業峰會」於深圳舉辦，中國 GaN 大廠英諾賽科亦發表 4 款快速充電用的 GaN 晶片，分別是 INN650D150A、INN650DA150A、INN650D260A 與 INN650DA260A，4 款晶片耐壓皆可達 650V，封裝大小以 DFN 8×8 與 DFN 5×6 為主。 繼續閱讀..
