Tag Archives: NAND Flash

企業級 SSD 價量齊揚、消費性訂單未復甦，3Q24 NAND Flash 營收季增 4.8%

作者 TechNews|發布日期 2024 年 11 月 27 日 14:50 |

分類 Samsung , 儲存設備 , 半導體

TrendForce 最新調查，2024 年第三季 NAND Flash 產業出貨量位元季減 2%，但平均銷售單價（ASP）上漲 7%，帶動產業整體營收達 176 億美元，季增 4.8%。

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繼 DRAM及 HBM 後，三星 NAND Flash 也受 SK 海力士威脅

作者 Atkinson|發布日期 2024 年 11 月 27 日 9:45 |

分類 Samsung , 半導體 , 國際貿易

記憶體大廠 SK 海力士宣布推出首款 321 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體產品，直接威脅競爭對手三星電子地位。三星不但高頻寬記憶體（HBM）和 DRAM 被超越，NAND Flash 堆疊層數競爭也失去領先地位，劣勢蔓延至各記憶體產品。

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瞄準 AI 商機，日本 NAND Flash 廠鎧俠 12/18 上市

作者 MoneyDJ|發布日期 2024 年 11 月 25 日 8:15 |

分類半導體 , 記憶體

日本 NAND Flash 大廠鎧俠（Kioxia）將在 12 月 18 日在東京證券交易所（以下簡稱東證）IPO（首次公開發行）上市，市值推估為 7,500 億日圓、將遠低於原先所設定的 1.5 兆日圓以上目標。據日媒指出，鎧俠不追求市值目標、力求盡早上市，目的是瞄準今後需求將呈現擴大的 AI 商機。繼續閱讀..

NAND Flash 廠鎧俠傳 12 月中旬上市，市值遠低於目標

作者 MoneyDJ|發布日期 2024 年 11 月 21 日 14:00 |

分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

日本 NAND Flash 大廠鎧俠（Kioxia）傳出將在 12 月中旬 IPO（首次公開發行）上市，市值預估為 7,500 億日圓、將遠低於原先設定的 1.5 兆日圓目標。繼續閱讀..

突破 300 層門檻！SK 海力士量產 321 層堆疊 NAND Flash

作者 Atkinson|發布日期 2024 年 11 月 21 日 9:40 |

分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

韓國記憶體大廠 SK 海力士今日宣布，量產全球最高 321 層堆疊 1Tb TLC 4D NAND Flash 快閃記憶體。

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需求展望疲弱、庫存與供給上升，2025 年 DRAM 價格走勢看跌

作者 TechNews|發布日期 2024 年 11 月 18 日 14:37 |

分類半導體 , 國際貿易 , 記憶體

第四季為 DRAM 產業議定合約價的關鍵時期，TrendForce 最新調查，製程較成熟 DDR4 和 LPDDR4X 供應充足、需求萎縮，價格呈現跌勢。DDR5 與 LPDDR5X 等先進製程需求展望尚不明確，加上部分買賣方庫存水位偏高，價格不排除第四季末開始下跌。繼續閱讀..

AI 熱潮帶動記憶體 V 型反轉，鎧俠第二財季營收年增幾乎翻倍

作者 Atkinson|發布日期 2024 年 11 月 12 日 9:30 |

分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

日本記憶體大廠鎧俠（Kioxia）公布 2024 財年第二季財報。第二財季營收為 4,809 億日圓（約新台幣1,029 億元），較第一財季 4,285 億日圓成長 12.22%，較 2023 財年同期 2,414 億日圓大幅成長 99.21%，幾乎翻倍成長。

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因應市場變化，三星平澤 P4 一期調整為 DRAM+NAND Flash 混合生產

作者 Atkinson|發布日期 2024 年 11 月 11 日 15:15 |

分類 IC 設計 , Samsung , 半導體

根據韓國媒體 ZDNET Korea 的報導表示，韓國三星內部已於第三季決定調整平澤園區 P4 產線第一期（Phase 1）的產能分配，就是要從純 NAND Flash 快閃記憶體的生產，調整為 NAND Flash+ DRAM 的生產，以因應市場需求變化。

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NAND 廠鎧俠傳活用新方法，目標明年 6 月前 IPO

作者 MoneyDJ|發布日期 2024 年 11 月 08 日 15:34 |

分類公司治理 , 半導體 , 記憶體

日本 NAND Flash 大廠鎧俠（Kioxia）傳出將活用日本新導入的上市申請方法、縮短手續時間，目標在 2025 年 6 月之前在東京證券交易所（以下簡稱東證）IPO（首次公開發行）。

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鎧俠研發 AI 用省電記憶體，日本政府最高補助 50%

作者 MoneyDJ|發布日期 2024 年 11 月 07 日 8:40 |

分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

日本 NAND Flash 大廠鎧俠（Kioxia）將研發 AI 用省電記憶體，目標 2030 年代前半商業化，而日本政府最高將補助 50% 費用。繼續閱讀..

AI 旺、鎧俠 NAND 新廠明秋投產；擬和 Rapidus 合作

作者 MoneyDJ|發布日期 2024 年 11 月 06 日 9:30 |

分類半導體 , 晶圓 , 記憶體

AI 需求旺，日本 NAND Flash 大廠鎧俠（Kioxia）新廠將在明年秋天投產、將量產最先進的「BiCS8」產品，且鎧俠表示，考慮和日本官民合作設立的晶圓代工廠 Rapidus 進行合作。繼續閱讀..

不再講超越台積電，三星半導體業務改寄望 2 奈米與 HBM

作者 Atkinson|發布日期 2024 年 10 月 31 日 14:40 |

分類 IC 設計 , Samsung , 半導體

三星電子公布 2024 年第三季財報，負責半導體業務的 DS 部門，整體獲利金額較第二季下滑 40%。三星計劃 2025 年專注第六代高頻寬記憶體（HBM4）開發和先進製程，也就是量產 2 奈米因應市場需求。繼續閱讀..

旺宏 2024 年前三季每股 EPS 虧損 0.9 元，預計 2025 年營運恢復

作者 Atkinson|發布日期 2024 年 10 月 29 日 20:30 |

分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

記憶體大廠旺宏 29 日召開線上法說會，公布 2024 年第三季財報，單季營收金額為新台幣 77.55 億元，較第二季增加 20%、較 2023 年同期也增加 6%。然而，受提列存貨損失的衝擊，毛利率來到 28.9%，較第二季減少 1.1 個百分點，單季稅後淨損 2.96 億元，每股 EPS 虧損 0.16 元，較第二季的每股 EPS 虧損 0.15 元些微擴大。累計，2024年前三季淨損 16.61 億元，每股 EPS 虧損來到 0.9 元。

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