Tag Archives: NAND Flash

美擴大對華為禁令,記憶體產業短期尚不致受到實質衝擊

作者 |發布日期 2020 年 05 月 18 日 18:10 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件

根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示,美國商務部工業和安全局(BIS)於 5 月 15 日公布針對華為出口管制的新規範,未來使用美國半導體相關設備的外國晶片製造商必須要特別申請核准,才可對華為、海思以及其他相關公司出貨。雖然相關法條仍存有進一步解釋的空間,但目前觀察對於記憶體的採購(含 DRAM 與 NAND Flash)影響有限,各原廠仍可繼續對華為出貨。但值得注意的是,美國對於華為或整體中國品牌的規範力道會持續增強,因此對於後續記憶體的供給或需求面的衝擊還需要持續觀察評估。 繼續閱讀..

DRAM 第一季庫存去化擺脫降價壓力,惟疫情影響產值衰退 4.6%

作者 |發布日期 2020 年 05 月 13 日 16:00 | 分類 記憶體 , 零組件

根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新調查,第一季 DRAM 供應商庫存去化得宜,季末的庫存水位與年初相比已經顯著下降,因此降價求售壓力不再,整體 DRAM 均價相較前一季上漲約 0-5%。然而,因應新冠肺炎疫情,各國祭出封城鎖國政策,導致物流受阻,DRAM 的位元出貨也受到影響。所以雖然均價小幅上漲,但第一季 DRAM 整體產值季衰退 4.6%,達 148 億美元。 繼續閱讀..

英特爾預計 2021 年全面轉向 144 層堆疊 NAND,還將推新 Optane

作者 |發布日期 2020 年 05 月 11 日 10:15 | 分類 會員專區 , 記憶體 , 零組件

處理器龍頭英特爾(Intel)近期在快閃記憶體的發展也隨其他廠商的腳步,開始有新進度。根據外媒報導,英特爾快閃記憶體部門最近公布發展藍圖,其他 NAND 快閃記憶體供應商都開始向 1xx 層堆疊發展當下,身為主要 NAND 製造商之一的英特爾也預計 2021 年全面轉向 144 層堆疊產品。

繼續閱讀..

宅經濟拉抬記憶體市場成長,旺宏、華邦電 4 月營收繳出亮麗成績

作者 |發布日期 2020 年 05 月 07 日 17:15 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體

宅經濟發酵下,帶動 3C 商品的需求成長,也間接使得記憶體的共應持續升溫,使得國內記憶體廠商包括旺宏與華邦電在 4 月份都繳出成長的成績。其中,旺宏 4 月份營收更一舉創下同期新高紀錄,而華邦電也有 11.39% 的年成長,使得營收個別有持續加溫的趨勢。

繼續閱讀..

旺宏 2020 年第 1 季 EPS 0.67 元,預估第 2 季營運仍可期待

作者 |發布日期 2020 年 04 月 29 日 16:20 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體

記憶體廠旺宏 29 日舉行線上法說,並公布 2020 年第 1 季業績,營收達新台幣 94 億元,較 2019 年第 4 季減少 2%,較 2019 年同期增加 56%,為歷年同期新高。稅後純益為 12.22 億元,較 2019 年第 4 季增加 62%,較 2019 年同期則是一口氣大增 761%,每股 EPS 來到 0.67 元。

繼續閱讀..

潘健成:疫情下群聯生產正常,以充足現金與庫存因應供應鏈未來變化

作者 |發布日期 2020 年 04 月 24 日 17:50 | 分類 國際貿易 , 晶片 , 會員專區

群聯董事長潘健成表示,在當前武漢肺炎的疫情下,群聯的研發與生產都沒有受到衝擊獲影響。而且,透過全球性的採購,群聯也持續維持正常供貨。不過,面對不確定的未來及可能的供應鏈斷鏈問題,目前也準備了足夠的現金與庫存,以因應持續變化的環境。展望未來,包括 5G 應用與物聯網、雲端伺服器以及車用電子的發展,將會是群聯重要的發展關鍵。

繼續閱讀..

來自中國供應商 DRAM 顆粒正式進入市場,對記憶體前景更添變數

作者 |發布日期 2020 年 04 月 23 日 8:30 | 分類 中國觀察 , 國際貿易 , 晶片

武漢肺炎疫情於全球持續蔓延的情況下,因為帶動居家辦公與遠距教學的需求,所以市場掀起一波筆電與雲端伺服器的採購熱潮,連帶拉抬日前記憶體市場的需求。隨著疫情持續,各項 3C 商品採購熱度逐步降溫,近來記憶體市場回復成長趨緩的狀態。此時,市場又傳出中國廠商生產的 DRAM 產品開始少部分進入市場,這預計讓未來的記憶體市場發展更添變數。

繼續閱讀..

長江存儲正式發表 128 層 TLC/QLC NAND Flash 快閃記憶體

作者 |發布日期 2020 年 04 月 13 日 11:40 | 分類 中國觀察 , 會員專區 , 記憶體

中國記憶體廠長江存儲於 13 日宣布,將推出兩款 128 層 3D NAND 產品,分別為容量為 1.33Tb 的 128 層 QLC 3D NAND Flash 快閃記憶體,以及容量為 512Gb 的 128 層 TLC 3D NAND Flash 快閃記憶體。其中,128 層 QLC 產品號稱為目前業界所發表的首款單顆 Die 容量達 1.33Tb 的 NAND Flash 快閃記憶體,其包括容量、性能都要優於主要競爭對手,並且兩款產品均已獲得主流控制器廠商驗證。

繼續閱讀..