Tag Archives: NAND Flash

美光宣布投資 150 億美元在愛達荷州興建記憶體工廠

作者 |發布日期 2022 年 09 月 02 日 14:00 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 晶片

外媒報導,美國時間 9 月 1 日,記憶體大廠美光 (Micron) 宣布 10 年內投資約 150 億美元,在總部愛達荷州建造記憶體廠。這將是 20 年來美國本土首家記憶體廠,也是愛達荷州有史以來最大私人投資計畫。2030 年前將創造 1.7 萬個就業機會,直接工作機會達 2,000 個。

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賣方庫存壓力沉重,第三季 NAND Flash 晶圓合約價跌幅擴大至 30%~35%

作者 |發布日期 2022 年 09 月 01 日 14:05 | 分類 晶片 , 零組件

TrendForce 最新調查表示,時序進入第三季下旬,旺季不旺導致庫存去化遲滯,NAND Flash 市場交易凍結,買方消極觀望,紛紛傾向不議價,讓原廠庫存壓力已達臨界點,轉向開出破盤低價以求成交。此舉將進一步引發原廠競價走跌。TrendForce 再次下修第三季 NAND Flash 晶圓合約價,預估跌幅由 15%~20% 擴大至 30%~35%。 繼續閱讀..

合約價上漲抵銷需求衰退,第二季 NAND Flash 總營收季增 1.1%

作者 |發布日期 2022 年 08 月 31 日 14:30 | 分類 半導體 , 記憶體

TrendForce 研究顯示,受鎧俠(Kioxia)原物料污染事件影響,第二季 NAND Flash 合約價上漲約 3%~8%。但消費端需求持續低迷,導致筆電、Chromebook、電視、智慧手機等需求位元走弱,使客戶端庫存水位一路攀升,受惠企業級 SSD 採購維持強勁動能,抵銷消費類需求低迷衝擊,最終第二季供應商位元出貨量季減 1.3%,平均銷售單價則提升 2.3%,整體 NAND Flash 產業營收達 181.2 億美元,季增 1.1%。

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需求持續疲弱衝擊,第三季 NAND Flash 產品價格跌幅惡化至 13%~18%

作者 |發布日期 2022 年 08 月 23 日 16:18 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體

高通膨壓力持續使全球經濟疲弱,各消費應用需求第二季起持續下修,預估至年底都不見起色。儘管伺服器需求雖穩,卻也進入庫存調節階段,使 NAND Flash 市場供過於求態勢日益嚴重。TrendForce 調查,由於賣方不再堅持固守價格跌幅,導致第三季 NAND Flash 價格從預估季減 8%~13% 擴大至 13%~18%,且原廠產出規劃不減,第四季跌勢恐持續。 繼續閱讀..

旺宏 7 月營收達 36.04 億元月減 7.9%,前七個月年增 4.8% 創新高

作者 |發布日期 2022 年 08 月 08 日 15:00 | 分類 半導體 , 會員專區 , 記憶體

記憶體廠旺宏公佈內部自行結算之 2022 年 7 月合併營收,金額為新台幣 36.04 億元,較上月合併營收新台幣 39.12 億元減少 7.9%,較 2021 年同期合併營收新台幣 42.83 億元,減少 15.9%,為單月同期次高。累計,2022 年前七個月合併營收為新台幣 265.42 億元,較 2021 年同期新台幣 253.37 億元增加 4.8%,創同期新高紀錄。

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華邦電上半年 EPS 2.44 元,第三季去庫存化加速使第四季回溫

作者 |發布日期 2022 年 08 月 05 日 22:10 | 分類 半導體 , 晶片 , 會員專區

記憶體大廠華邦電 5 日召開線上法人說明會,並在日前公布 2022 年第二季財報之後,也公布了 2022 年上半年的財報。在有利台幣匯率挹注下,第二季每股 EPS 達到新台幣 1.24 元,創下新高紀錄。累計,2022 年上半年每股 EPS 達到 2.44 元。

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三星公布新儲存解決方案架構,首款 UFS 4.0 快閃記憶體量產

作者 |發布日期 2022 年 08 月 05 日 8:15 | 分類 Samsung , 儲存設備 , 半導體

南韓記憶體大廠三星在 2022 全球快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit,FMS),推出一系列下一代記憶體和儲存技術。主題為「Memory Innovations Navigating the Big Data Era」的主題演講,三星重點介紹推動大數據市場進步的四項技術,分別為數據移動、數據儲存、數據處理和數據管理等,展示每項技術的解決方案。

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不忍了!SK 海力士與長江存儲宣布開發完成 238 及 232 層 NAND Flash

作者 |發布日期 2022 年 08 月 03 日 14:45 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

日前美商記憶體大廠美光科技 (Micron) 領先業界推出 232 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體,南韓 SK 海力士與中國長江存儲不忍了,也分別宣布開發完成 238 層及 232 層堆疊 NAND Flash 產品,代表往更高容量發展的 NAND Flash 技術競爭持續。

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2023 年 DRAM 需求位元成長僅 8.3% 成歷年最低,NAND Flash 可望以跌價帶動搭載容量增長

作者 |發布日期 2022 年 08 月 03 日 14:15 | 分類 半導體 , 記憶體 , 零組件

根據 TrendForce 表示,2023 年 DRAM 市場需求位元成長僅 8.3%,是歷年來首度低於 10%,遠低於供給位元成長約 14.1%,研判至少 2023 年的 DRAM 市況在供過於求的情勢下仍相當嚴峻,價格恐將持續下滑。NAND Flash 方面,仍處於供過於求狀態,但該產品與 DRAM 相較更具價格彈性,儘管預期明年上半年價格仍會走跌,但均價在連續多季下滑後,可望刺激 enterprise SSD 市場單機搭載容量成長,預估需求位元成長將達 28.9%,而供給位元成長約 32.1%。

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