Tag Archives: High-NA EUV

ASML 下週公布 2025 年財報，市場樂觀看待 High-NA EUV 將帶動營運
作者 |發布日期 2026 年 01 月 19 日 11:40 |
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分類 半導體 , 材料、設備 , 財經

隨著全球半導體產業競逐更先進的製程節點，半導體微影設備大廠艾司摩爾（ASML Holding N.V.）正處於一場製造技術重大變革的核心。根據 Zacks 投資研究發布的最新分析報告， ASML 的 High-NA EUV（高數值孔徑極紫外光） 技術正取得顯著進展，不僅重新定義了邏輯晶片與 DRAM 的生產模式，更成為推動該公司 2026 年營收成長的關鍵引擎。因此，即將於 28 日公布的 2025 年第四季與 2025 年全年財報備受到市場的關注。

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英特爾安裝首套二代 High-NA EUV，將用於 Intel 14A 製程
作者 |發布日期 2025 年 12 月 17 日 11:45 |
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分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

2023 年末，ASML 向英特爾交貨了首套 High-NA EUV 微影曝光設備，型號為 TWINSCAN EXE:5000 的系統。英特爾將其做為試驗機，並於 2024 年在美國俄勒岡州的 Fab D1X 晶圓廠完成安裝。之後，該晶圓廠成為英特爾半導體技術研發基地，進一步研發使用 High-NA EUV 設備的技術與產品。

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imec 宣布單次曝光 High NA EUV 微影技術重大突破，推進 2 奈米以下製程發展
作者 |發布日期 2025 年 09 月 29 日 10:10 |
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分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

比利時微電子研究中心（imec）日前發布重大消息，宣布其在高數值孔徑極紫外曝光（High NA EUV）單次圖形化技術上取得新的突破性里程碑，代表著 High NA EUV 圖形化能力向 A10 及更先進邏輯節點邁進的強大實力，同時也強調了 imec 在曝光為影技術研發領域的領先地位。

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曝光機需求優於預期，2027 年 ASML 將交貨 10 套 High-NA EUV 和 56 套 EUV
作者 |發布日期 2025 年 09 月 26 日 15:30 |
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分類 IC 設計 , 半導體 , 晶圓

隨著人工智慧（AI）浪潮帶動了半導體產業的發展，投資機構對 ASML 產品的長期需求仍保持樂觀，因為這些 AI 半導體普遍採用最新的半導體製造技術。雖然不少半導體製造商都延後引入新一代 High-NA EUV。但是從整體來看，市場對曝光設備的需求仍處於上升趨勢。

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ASML 第一季營收與訂單金額均下滑，引發半導體市場衰退憂慮
作者 |發布日期 2025 年 04 月 16 日 15:40 |
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分類 半導體 , 材料、設備 , 財報

全球晶片微影技術領導廠商艾司摩爾 (ASML) 發布 2025 年第一季財報，第一季銷售淨額 (net sales) 為 77億歐元，淨收入為 (net income) 24 億歐元，毛利率 (gross margin) 為 54%，第一季訂單金額為 39 億歐元，其中 12 億歐元為 EUV 訂單。

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財務狀況吃緊，英特爾延後俄亥俄園區一期晶圓廠落成時間至 2030 年
作者 |發布日期 2025 年 03 月 02 日 10:00 |
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分類 IC 設計 , 公司治理 , 半導體

英特爾日前宣布，對位於俄亥俄州園區的建設時間表進行重大修改。該園區廠原定於 2025 年完工，之後第一階段興建的晶圓廠產線進入新製程的研發與生產階段。然而，在該園區經過這第三次大幅延後時間之後，第一階段晶圓廠完工的時間將將來到 2030 年，量產晶片的時間則是在 2030~2031 年。英特爾強調，其對該園區興建的承諾沒有改變，市場需求允許下加速建設。

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