Tag Archives: dram

DRAM 供應緊俏，半年以上長期合約綁定供應已成為市場趨勢
作者 |發布日期 2025 年 11 月 24 日 8:00 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 國際貿易

隨著全球人工智慧（AI）投資擴張的浪潮日益加劇，半導體 DRAM 的短缺問題也愈發嚴重。這一供需失衡已迫使市場將過去以月或單季為基礎的價格談判，重組為為期六個月或更長的長期供應合約。由於市場普遍預期 DRAM 的嚴重短缺將持續推動價格上漲至 2026 年，需求公司正積極尋求半年度合約，甚至市場上的協商已延伸至 2027 年的供應合約，反映出確保 2026 年供應量日益困難的現狀。

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三星與 SK 海力士預估第四季 DRAM 售價將大幅上漲，漲幅超過原先預期
作者 |發布日期 2025 年 11 月 24 日 8:00 |
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分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體

受惠於人工智慧 （AI） 產業的強勁需求推動，DRAM 市場正經歷一輪 「超級週期」（Super Cycle），而韓國兩大記憶體製造大廠三星電子和 SK 海力士成為這波浪潮中的主要受惠者。由於客戶對高附加值產品以及傳統 DRAM 的訂單量爆增，業界觀察認為，兩家公司第四季 DRAM 的平均售價 （ASP） 預計將大幅上漲，且漲幅高於最初的預期。

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需求是供應三倍，三星要縮減 NAND 與晶圓代工產線改生產 DRAM
作者 |發布日期 2025 年 11 月 21 日 16:45 |
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分類 Samsung , 半導體 , 晶片

面對全球人工智慧（AI）基礎設施投資快速擴張所帶動的 DRAM 需求激增，韓國三星電子正採取重大策略轉變，該公司計劃將位於平澤和華城園區的部分 NAND 快閃記憶體生產線，轉換為 DRAM 生產設施，以應對市場的強勁需求。此外，三星亦規劃將平澤四廠（P4）設立為專門的 DRAM 生產線，並應用最新的製程技術（1c），以期最大化公司獲利。

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記憶體短缺且價格大漲衝擊終端企業，廠商設法維持來源穩定
作者 |發布日期 2025 年 11 月 20 日 13:30 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 國際貿易

近來罕見的「記憶體超級週期」（Memory Supercycle）正以驚人的速度和嚴重程度衝擊全球硬體製造業及消費市場。由於 DRAM 和 NAND Flash 等關鍵零組件價格持續且大幅攀升，不僅嚴重侵蝕硬體製造商（OEM/ODM）的毛利率與獲利能力，更迫使終端產品定價上調，進而對疲軟的消費需求造成實質壓力。

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記憶體產業正經歷環境重組，獲利至上使過去週期性循環難以再預測市場趨勢
作者 |發布日期 2025 年 11 月 20 日 11:00 |
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分類 半導體 , 記憶體

記憶體產業近期正經歷一場深層次的結構性轉變，這不再是週期性的波動或短暫的市場修正。對此，半導體商業情報公司（Semiconductor Business Intelligence）創辦人 Claus Aasholm 明確指出，過去數十年穩定 DRAM 價格的長久均衡關係已經瓦解，市場正在進行 「重組」。

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記憶體價格攀升衝擊消費市場，下修 2026 年智慧手機與筆電產業展望
作者 |發布日期 2025 年 11 月 17 日 14:40 |
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分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體

根據 TrendForce 調查顯示，2026 年宏觀經濟維持疲軟，地緣政治與通膨持續干擾消費市場表現，更關鍵的是，記憶體步入強勁上行週期，導致整機成本上揚，並將迫使終端定價上調，進而衝擊消費市場。基於此，TrendForce下修2026年全球智慧型手機及筆電的生產出貨預測，從原先的年增 0.1% 及 1.7%，分別調降至年減 2% 及2.4%。此外，若記憶體供需失衡加劇，或終端售價上調幅度超出預期，生產出貨預測仍有進一步下修風險。 繼續閱讀..

記憶體產業 2026 年資本支出仍顯保守，挹注位元產出成長有限
作者 |發布日期 2025 年 11 月 13 日 14:37 |
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分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體

TrendForce 調查顯示，記憶體平均銷售價格（ASP）持續提升，供應商獲利也增加，DRAM 與 NAND Flash 之後資本支出會持續上漲，但 2026 年位元產出成長挹注有限。DRAM 和 NAND Flash 產業投資重心逐漸轉變，從單純擴充產能轉向製程升級、高層數堆疊、 混合鍵合及 HBM 等高附加價值產品。 繼續閱讀..