Tag Archives: dram

三星推出 11 奈米 FinFET 製程，並宣布 7 奈米製程將全面導入 EUV
作者 |發布日期 2017 年 09 月 30 日 10:45 |
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分類 Samsung , 國際貿易 , 晶片

隨著台積電宣布全世界第一個 3 奈米製程建廠計畫落腳台灣南科後，10 奈米以下個位數製程技術的競爭正式進入白熱化。台積電對手三星 29 日也宣布，開始導入 11 奈米 FinFET，預計 2018 年正式投產，也宣布將在新一代 7 奈米製程全面採用 EUV 極紫外線光刻設備。

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TechNews 科技早報 – 20170929
作者 |發布日期 2017 年 09 月 29 日 9:18 |
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分類 手機 , 會員專區 , 財經

國家存儲器基地項目一號生產及動力廠房提前封頂
9 月 28 日上午 10 時，由紫光集團聯合國家集成電路產業投資基金、湖北省集成電路產業投資基金、湖北科投共同投資建設的國家存儲器基地項目（一期）一號生產及動力廠房，實現提前封頂。這標誌著開工… 繼續閱讀..

TechNews 科技早報 – 20170927
作者 |發布日期 2017 年 09 月 27 日 9:12 |
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分類 手機 , 會員專區 , 財經

華勝天成攜中域高鵬資本 19 億元收購泰凌微電子
繼國家半導體大基金今年 4 月 11 日以 40 億人民幣收購 Xcerra 后，華勝天成攜手中域高鵬資本以 19 億人民幣向海南雙成資本收購泰凌微電子，成為中國今年成功交割的第二大半導體收購案。這項收購已於 8 月… 繼續閱讀..

美光財報 / 財測勝預期，盤後漲 3%
作者 |發布日期 2017 年 09 月 27 日 9:10 |
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分類 晶片 , 記憶體 , 財經

美國記憶體大廠美光科技（Micron Technology Inc.）於 26 日美國股市盤後公布 2017 會計年度第四季（截至 2017 年 8 月 31 日為止）財報：營收年增 91%（季增10%）至 61.4 億美元；非一般公認會計原則（Non-GAAP）每股稀釋盈餘報 2.02 美元，高於第三季的 1.62 美元且遠優於一年前的 0.01 美元虧損表現。MarketWatch 報導，根據 FactSet 的調查，分析師原先預期美光第四季營收、Non-GAAP 每股稀釋盈餘各為 59.4 億美元、1.82 美元。 繼續閱讀..

TechNews 科技早報 – 20170926
作者 |發布日期 2017 年 09 月 26 日 9:10 |
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分類 手機 , 會員專區 , 財經

華邦電高雄投資案金額 3350 億 比鴻海美國投資案還大
半導體 DRAM 大廠華邦電子，今天正式宣布將在路竹的南科高雄園區，設立 12 吋晶圓廠，總投資金額高達 3350 億元，比鴻海美國投資案 3050 億元還大。高雄市長陳菊、科技部長陳良基、華邦電董事長焦佑鈞… 繼續閱讀..

聯電：自主研發 DRAM 計畫不變，明年 Q4 完成首階段開發
作者 |發布日期 2017 年 09 月 25 日 9:30 |
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分類 記憶體 , 財經

聯電遭記憶體大廠美光指控妨礙營業祕密，對此，聯電共同總經理簡山傑表示，對司法程序進行中的案件不應多言，但聯電一向以保護智財產著稱，也禁止員工不得使用其它公司營業機密公司；他強調，自主研發 DRAM 的計畫不會因此而改變，預計明年第四季完成第一階段的技術研發；另外，展望公司未來發展藍圖，追求獲利成長仍為首要目標。 繼續閱讀..