Tag Archives: dram

TechNews 科技早報 – 20171227
作者 |發布日期 2017 年 12 月 27 日 9:30 |
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分類 手機 , 會員專區 , 財經

紫光集團：未與 SK 海力士進行晶元快閃記憶體技術談判
12 月 26 日下午消息，紫光集團通過微信發佈聲明稱，有關「與 SK 海力士就晶元快閃記憶體技術許可進行談判與合作」的消息為市場傳言，完全沒有事實依據。聲明表示，紫光並未與 SK 海力士進行相關領域的… 繼續閱讀..

因應高效能運算需求，英特爾推出新款可重複程式設計晶片
作者 |發布日期 2017 年 12 月 22 日 17:30 |
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分類 晶片 , 會員專區 , 記憶體

半導體大廠英特爾（Intel）於 21 日宣布，推出業界首款採用整合式高頻寬記憶體 DRAM（HBM2）的可重複程式設計的晶片（FPGA）──Stratix 10 MX FPGA。該產品可通過整合 HBM2 提供 10 倍於獨立 DDR 記憶體解決方案的記憶體頻寬。而憑藉強大頻寬功能，Stratix 10 MX FPGA 將可用做高性能運算（HPC）、資料中心、網路功能虛擬化（NFV）等許多基本的功能加速器，使得這些需要應用到硬體加速器的部分，能提升大規模資料移動和資料管道框架的速度。

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TechNews 科技早報 – 20171222
作者 |發布日期 2017 年 12 月 22 日 9:02 |
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分類 手機 , 會員專區 , 財經

中國布局記憶體，晉華電子、合肥長鑫與紫光集團三大陣營成形
中國半導體發展風起雲湧，在市場、國安等考量下，記憶體成為中國重點發展項目。根據全球市場研究機構 TrendForce 最新「中國半導體產業深度分析」報告指出，隨著中國挾帶著龐大的資金與地方政府的… 繼續閱讀..

中國布局記憶體，晉華電子、合肥長鑫與紫光集團三大陣營成形
作者 |發布日期 2017 年 12 月 21 日 14:31 |
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分類 中國觀察 , 記憶體 , 零組件

中國半導體發展風起雲湧，在市場、國安等考量下，記憶體成為中國重點發展項目。根據全球市場研究機構 TrendForce 最新「中國半導體產業深度分析」報告指出，隨著中國挾帶著龐大的資金與地方政府的資源進軍半導體中的記憶體領域，中國包含晉華電子、合肥長鑫與紫光集團在內的三大陣營已成形。 繼續閱讀..

三星宣布搶先業界量產第二代 1y 奈米製程 DRAM
作者 |發布日期 2017 年 12 月 20 日 16:30 |
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分類 Samsung , 會員專區 , 記憶體

南韓科技大廠三星 20 日宣布，已經開始量產第二代的 1y 奈米製程的 DRAM 產品。三星表示，該項 DRAM 產品為  8Gb 的 DDR4 DRAM 第二代產品。相較於上一代產品來說，新的 8Gb DDR4 具有 8Gb DRAM 記憶體中最高的性能和耗能效率，另外還有更小的面積尺寸。

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