美國普渡大學研究人員發現一種衍生自稀有元素碲(tellurium)的極薄二維材料,可大幅提升晶片電晶體運行效率,進而提高電子裝置(如手機、電腦)處理訊息的速度,也能增強諸如紅外線感測器的技術。 繼續閱讀..
室溫下保持高載流子移動率,稀有元素碲或可成為高效晶片祕方 |
| 作者 Emma stein|發布日期 2018 年 05 月 25 日 17:26 | 分類 晶片 , 會員專區 , 材料 |
室溫下保持高載流子移動率,稀有元素碲或可成為高效晶片祕方 |
| 作者 Emma stein|發布日期 2018 年 05 月 25 日 17:26 | 分類 晶片 , 會員專區 , 材料 | edit |
美國普渡大學研究人員發現一種衍生自稀有元素碲(tellurium)的極薄二維材料,可大幅提升晶片電晶體運行效率,進而提高電子裝置(如手機、電腦)處理訊息的速度,也能增強諸如紅外線感測器的技術。 繼續閱讀..
Intel 布局半導體代工,開放 22 及 10 奈米製程對 ARM 架構產品代工 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2017 年 11 月 02 日 18:15 | 分類 Android 手機 , 國際貿易 , 手機 | edit |
2017 年 ARM TechCon 大會,某些領域已形成相互爭關係的半導體大廠 Intel 和矽智財權廠商 AMD,兩者宣布將建立廣泛的合作關係,其中一個相互合作的方式,就是基於 ARM 核心架構的行動晶片,預計將採用 Intel 的 22 奈米 FFL 製程技術,以及 10 奈米 HPM/GP 製程技術代工生產。
Diodes 全新微型電晶體,佔位面積縮減 40% |
| 作者 TechNews|發布日期 2015 年 01 月 29 日 18:40 | 分類 市場動態 , 零組件 | edit |
Diodes 公司(Diodes Incorporated)推出首批採用 DFN0606 封裝的 NPN 電晶體 MMBT3904FZ 和 BC847BFZ,以及 PNP 電晶體 MMBT3906FZ 和 BC857BFZ。新產品的電路板面積僅 0.36mm2,比採用 DFN1006(SOT883)封裝的同類型元件小 40%,並能提供相等甚至更佳的電氣效能。這些元件的離板高度只有 0.4mm,非常適合智慧型手錶、健康和健身設備等穿戴式產品,以及智慧型手機與平板電腦等侷限空間的消費性產品。 繼續閱讀..
美高森美推出 750W GaN on SiC RF 電晶體 |
| 作者 Sanada Yukimura|發布日期 2013 年 10 月 02 日 10:44 | 分類 市場動態 , 會員專區 | edit |
半導體解決方案供應商美高森美公司,近日推出新型 750W RF 電晶體,擴展其基於碳化矽(silicon carbide, SiC)襯底氮化鎵(gallium nitride, GaN)高電子移動率電晶體(high electron mobility transistor, HEMT)技術的射頻(radio frequency, RF)功率電晶體系列之陣容。在全系列空中交通管制和防撞設備中,MDSGN-750ELMV 提供了突出且最高的功率性能。目標應用包括商用二次監視雷達(secondary surveillance radar, SSR),這種設備全球各地都在使用,以詢問和識別距離機場地區和區域中心大約 200 英里範圍內的飛機。 繼續閱讀..
