記憶體代廠美光科技(Micron)近日宣布,DRAM 與 NAND Flash 部門取得多項關鍵進展,特別是在高頻寬記憶體(HBM)領域,不僅帶動強勁的業績成長,更確立了在下一代 HBM 技術上的領導地位。
美光送樣業界最快 HBM4 產品,還與台積電洽談合作 HBM4E 基礎晶片 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2025 年 09 月 25 日 8:40 | 分類 半導體 , 記憶體 |
三星 V9 QLC NAND 商業化遭遇瓶頸,能否趕上 2026 年市場爆發引發關注 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2025 年 09 月 16 日 15:00 | 分類 AI 人工智慧 , IC 設計 , 半導體 | edit |
根據 ZDNet Korea 的報導,儘管人工智慧(AI)產業蓬勃發展,對高容量儲存的需求日益攀升。不過,三星電子在推進其第 9 代(V9)QLC NAND Flash 商業化的進程中卻遭遇了顯著的技術瓶頸,這使得原定於 2024 年下半年啟動首次量產的計畫,現因性能問題而延期。目前三星公司正全力進行設計及製程端的改進工作,以應對日益成長的市場需求,並鞏固其在高附加值記憶體市場的地位。
