imec 提高氧濃度最佳化 EUV 效率,產能有望提升 |
| 作者 蘇 子芸|發布日期 2026 年 02 月 28 日 17:21 | 分類 半導體 , 晶圓 |
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ASML 擬升級 EUV 光源至 1,000W,晶圓產能有望提升 50% |
| 作者 蘇 子芸|發布日期 2026 年 02 月 24 日 9:45 | 分類 半導體 , 晶圓 |
綜合外電報導,荷蘭半導體設備大廠 ASML 傳出在極紫外光(EUV)技術上取得關鍵進展,規劃將光源功率由 600W 提升至 1,000W。若新方案順利導入,晶圓產能有望提升約 50%,且無需額外擴建無塵室或新增整套機台。 繼續閱讀..
半導體製程 EUV 王朝難撼動,Canon 力推奈米壓印都推不倒 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2025 年 11 月 04 日 12:30 | 分類 半導體 , 材料、設備 |
在半導體製造的最前線,曝光微影技術一直是決定晶片性能與製程節點演進的關鍵瓶頸。荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾 (ASML) 憑藉深紫外光(DUV)與極紫外光(EUV)兔光機,建立起幾乎無可撼動的市場地位。然而,日本光學大廠佳能(Canon)正嘗試以另一條路徑突圍,那就是奈米壓印 (Nanoimprint Lithography,NIL)。這項被視為「非光學」的新型圖案轉印技術,正被佳能定位為下一代晶片製程的潛在顛覆者。



