基於與台積電長期合作,推動先進製程節點的持續創新,新思科技近日宣布針對台積電 N3E 製程技術的多項關鍵成果,新思科技的數位與客製化設計流程已獲得台積電 N3E 製程的認證。此外,該流程與新思科技廣泛的基礎與介面 IP 組合,已在台積電 N3E 製程中實現了多次成功的投片 (tape-out),將可協助客戶加速矽晶成功 (silicon success)。雙方在先進製程技術上的合作也擴及到類比設計遷移 (analog design migration)、AI 驅動的設計以及雲端的物理驗證擴展 (physical verification scaling)。
Category Archives: IC 設計
針對台積電 16nm FinFET Compact 技術,Ansys、新思科技、是德科技攜手推設計解決方案 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2022 年 11 月 02 日 15:15 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶圓 |
為滿足 5G/6G SoC 嚴格的性能和功耗需求,包括 Ansys、新思科技、和是德科技攜手宣布推出針對台積電 16nm FinFET Compact (16FFC) 技術的全新毫米波 (mmWave) 射頻 (RF) 設計流程。其共同客戶將可利用開放的、從前端到後端的設計流程來獲得性能、功率、成本和生產力等多方面的優勢,該流程由用於 RFIC 設計的最新及領先業界的工具所組成。
高通 Snapdragon 8 Gen 2 對決聯發科天璣 9200,台積電 4 奈米內戰 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2022 年 10 月 31 日 15:50 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片 |
11 月全球市占率最高行動處理器廠商高通與聯發科,將在旗艦型行動處理器正面較勁。高通 11 月中舉辦年度驍龍 Snapdragon 技術高峰會,會推出新一代 Snapdragon 8 Gen 2 行動處理器,聯發科也在 11 月推出旗艦款天璣 9000 最新版天璣 9200 應戰。不論高通 Snapdragon 8 Gen 2 或聯發科天璣 9200,都是台積電 4 奈米製程,形成台積電 4 奈米內戰。



