三星新突破登上研究期刊，新型 FeFET 3D NAND 功耗大降 96% |
作者
TechNews 編輯台|發布日期
2025 年 12 月 02 日 11:20 |
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三星正式推出三摺機，台灣確定上市、但價格仍是未知數 |
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作者
邱 倢芯|發布日期
2025 年 12 月 02 日 10:23 |
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三星今日正式發表旗下首款三摺式旗艦手機 Galaxy Z TriFold，展開後可呈現 10 吋大螢幕，摺疊後則維持高度便攜，再次推進摺疊形態的可用性邊界。三星同時確認台灣將包含在上市市場名單中，但售價目前尚未公布。
親兄弟也要明算帳，三星 DS 部門拒絕與 MX 部門簽 DRAM 年度長約 |
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作者
Atkinson|發布日期
2025 年 12 月 02 日 7:30 |
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根據韓國媒體報導，三星旗下半導體（DS）部門近期已決定，對其負責生產智慧型手機的型動經驗（MX）部門維持單季合約採購 DRAM 的供應模式。儘管 MX 事業部曾積極尋求一年以上的長期供貨合約，但 DS 部門為了在當前的記憶體超級週期中極大化獲利，堅持維持三個月的單季合約策略。
三星研究以電鐵材料降低 NAND Flash 耗電量，最多達 96% |
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作者
Atkinson|發布日期
2025 年 11 月 28 日 15:50 |
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為積極應對人工智慧（AI）時代日益嚴峻的電力危機，韓國三星旗下的先進技術研究院（SAIT）近日宣布了一項突破性的基礎技術，也就是研究人員在全球率先發現了一種核心機制，能夠將現有 NAND Flash 的功耗降低高達 96%，有望為解決能源消耗問題做出重大貢獻。而這項重要的研究成果已由 SAIT 與半導體研究所的 34 位研究人員共同撰寫，題為「用於低功耗 NAND Flash 的鐵電晶體管」論文，並成功發表於《自然》國際學術期刊上。
三星 2 奈米良率據稱達 60%，拿下中國兩大礦機商訂單 |
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作者
Atkinson|發布日期
2025 年 11 月 26 日 16:30 |
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全球半導體產業競爭激烈，尤其在先進製程領域。據最新消息指出，三星電子在 2 奈米 Gate-All-Around（GAA）技術上取得重大進展。不僅其下一代旗艦移動應用處理器（AP）Exynos 2600 的良率已達到令人矚目的 50% 至 60%，同時，三星的 2 奈米代工業務更成功從兩大中國加密貨幣礦機製造大廠手中，獲得了可觀的晶片生產訂單，預計將為其帶來數億美元的年營收，顯著提升三星在先進代工市場的地位。
