外媒《Anandtech》報導,最先進晶片製造技術是 4 / 5 奈米製程,下半年三星和台積電還將量產 3 奈米製程,對使用 ASML EUV 微影曝光技術的 Twinscan NXE:3400C 及類似系統來說,因有 0.33 NA(數值孔徑)光學器件,可提供 13 奈米解析度,目前看來解析度尺寸對 7 / 6 奈米節點 (36~38 奈米) 和 5 奈米 (30~32 奈米) 單一曝光技術已足夠。隨著間距低於 30 奈米(超過 5 奈米級先進節點)時代到來,13 奈米解析度可能需雙重曝光技術,將是未來幾年內主流技術應用。
下世代 EUV 單一造價近 120 億元,仍為半導體廠兵家必爭之地 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2022 年 05 月 31 日 11:20 | 分類 晶圓 , 晶片 , 會員專區 |



