美國才宣布制裁，長江存儲隨即量產 232 層堆疊 3D NAND Flash

作者 Atkinson | 發布日期 2022 年 12 月 01 日 11:15 | 分類半導體 , 晶片 , 會員專區

美國限制生產 128 層堆疊以上 NAND Flash 快閃記憶體的設備與技術出口中國後，現在消息指中國長江存儲 2022 年閃存峰會（FMS）將發表採用 Xtacking 3.0 架構、232 層堆疊的第四代 3D TLC NAND Flash 快閃記憶體量產，品名為 X3-9070。相較上一代產品，X3-9070 有更高儲存密度及更快 I/O 速度。