ASML：Hyper-NA EUV 為半導體下個十年重要變化，但關鍵在成本

縮小晶片的電晶體尺寸，這對於晶片性能的持續發展至關重要。因此，半導體產業正在研究各種方法來縮小電晶體的尺寸。未來幾年，晶片製造商將採用 ASML 最新的 High-NA EUV 微影曝光設備，藉以進行 3 奈米後製造節點的技術發展。但接下來呢？ ASML 表示，目前正在發展 Hyper-NA，並尋找尚未定義的新工具，這些工具將在 2030 年之際開始獲得採用，為未來的晶片生產技術提供動力。