路透社報導，處理器大廠英特爾 (Intel) 日前產業會議透露，開始用兩台艾司摩爾（ASML）High-NA Twinscan EXE:5000 EUV 微影曝光機。英特爾工程師 Steve Carson 表示，奧勒岡州 Hillsborough 附近 D1 工廠開始用 ASML 兩台 High-NA EUV，至今處理達 3 萬片晶圓。
每台 High-NA EUV 成本高達 3.5 億歐元，英特爾更是全球第一家安裝 High-NA EUV 的主要晶片商。英特爾接下來幾年將用它們生產 Intel 14A 晶片。
領先競爭對手使用新製造工具非常重要，因能使英特爾開發各種 High-NA EUV 技術（如光罩玻璃、光罩保護膜、化學品等），最終可能成為產業標準。ASML 準備據英特爾工程師回饋開發 Twinscan EXE:5000 High-NA EUV，可能會使英特爾更具競爭優勢。
英特爾表示新系統「比舊型號更可靠」，雖報導未詳細說明 ASML Twinscan EXE:5000 是否比 2013 年生產 Twinscan NXE:3300 更可靠，或比量產型號 Twinscan NXE:3600D / NXE:3800E 更可靠。考量到 ASML 對 NXE 和 EXE 用類似光源，可能正如英特爾所說，非常可靠。
ASML Twinscan EXE High-NA EUV 只需一次曝光即可達成低至 8 奈米的解析度，與一次曝光 13.5 奈米解析度一般標準 EUV 相較，是重大改進。前代一般標準 EUV 仍可雙重曝光達 8 奈米解析度，但會拉長生產週期，並影響良率。
與一般標準 EUV 相較，High-NA EUV 將曝光範圍縮小一半，需晶片開發人員更改設計。有鑑於 High-NA EUV 微影系統成本和特殊性，所有晶片商都採用不同策略。英特爾成為第一個使用者後，對手台積電更謹慎。
(首圖來源：英特爾)
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