DRAM 也進入 3D 時代！NEO 定 2025 年推 230 層堆疊 3D X-DRAM
作者 | 發布日期 2023 年 05 月 09 日 11:15 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 會員專區 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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DRAM 也進入 3D 時代！NEO 定 2025 年推 230 層堆疊 3D X-DRAM

全球 NAND Flash 快閃記憶體進入 3D 時代，使容量較 2D 時代大幅提升，但成本沒有增加多少。DRAM 記憶體還停在 2D 時代，需大容量 DRAM 就要付更多成本。美國 NEO 半導體宣布推出全球首款 3D DRAM 原型，為解決 DRAM 容量瓶頸。

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