三星電子第七代高頻寬記憶體 HBM4E 開發進程持續推進。根據《The Elec》報導，三星 HBM4E 已完成基底晶粒（base die）前段設計，並正式進入後段（back-end）實體設計階段，距離投片再向前邁進一步。 繼續閱讀..
三星 HBM4E Base Die 完成前段設計，後段實體設計啟動 |
作者
蘇 子芸|發布日期
2026 年 01 月 23 日 9:09 |
|
