Tag Archives: NAND Flash

固態硬碟市場只開發了 14%,Intel 已經完成策略性佈局

作者 |發布日期 2015 年 04 月 07 日 20:20 | 分類 會員專區 , 零組件

關注 Intel 動態的投資人,或許不會特別關注它以快閃記憶體為核心(flash-based )的固態硬碟(solid-state Drive, SSD)業務,但投資訊息網站作家 Ashraf Eassa 撰文分析,固態硬碟已成為 Intel 整體營運策略中愈趨重要的一塊,不僅因為 Intel 在去年 11 月的股東大會上花相當多的時間說明這塊業務,還因為它市場成長空間非常大,Intel 目前也掌握相當程度的市場份額。以下為 Eassa 分析 Intel 在固態硬碟市場具體策略的摘要。

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NAND Flash 產業再進化,TLC 產品將取得市場動能

作者 |發布日期 2015 年 03 月 20 日 16:06 | 分類 市場動態 , 手機 , 零組件

 隨著 TLC 產品的主流應用開始從記憶卡與隨身碟產品往 eMMC / eMCP 與 SSD 等 OEM 儲存裝置移動,加上 NAND Flash 業者陸續推出完整的 TLC 儲存解決方案,TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 預估今年 TLC 產出比重將持續攀升,將在第四季接近整體 NAND Flash 產出的一半。 繼續閱讀..

威剛估 Q1 為全年業績谷底,記憶體需求 Q2 起漸回溫

作者 |發布日期 2015 年 03 月 09 日 13:00 | 分類 財經 , 零組件

因農曆年長假效應及 DRAM 市場均價下探影響,威剛今年2月合併營收減為 13.73 億元;年減 33.87%、月減 31.5%,累計前 2 月合併營收年減約三成。威剛 2 月 DRAM 營收比重已降為 38.15%,NAND Flash 與其他產品占比為 61.85%,其中,固態硬碟(SSD)動能持續,營收貢獻仍位居非 DRAM 類首要產品線,佔公司月營業額比重逾 20%。

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突破細微化極限,東芝與 Hynix 攜手研發奈米壓印技術

作者 |發布日期 2015 年 02 月 06 日 9:50 | 分類 晶片 , 零組件

全球第 2 大 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)廠商東芝(Toshiba)5 日發布新聞稿宣布,為加快次世代半導體露光技術「奈米壓印技術(Nano-imprint Lithography;NIL)」的研發腳步,已和南韓半導體大廠SK 海力士(SK Hynix)正式簽署契約,雙方技術人員將自 2015 年 4 月起透過東芝橫濱事業所攜手研發 NIL 製程的關鍵技術,目標為在 2017 年實用化。

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淡季影響銷售,NAND Flash 供應商 Q1 將供過於求

作者 |發布日期 2015 年 02 月 05 日 16:00 | 分類 Samsung , 零組件 , 電腦

根據 TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新報告顯示,第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準,但在三星電子、東芝與晟碟各自面臨價格與產銷端的壓力影響營收、及第三季呈現微幅衰退的情況下,品牌供應商營收僅較第三季成長 2% 至 87.5 億美元。DRAMeXchange 研究協理楊文得表示,因需求端面臨淡季效應,2015 年第一季整體市況將轉為供過於求,在價格滑落幅度轉趨明顯的情況下,業者將藉由加速先進製程的轉進,改善成本架構,以減低價格跌幅的衝擊。 繼續閱讀..

華邦電 Q1 保守,今年 Specialty DRAM 為成長主力

作者 |發布日期 2015 年 02 月 03 日 15:25 | 分類 即時新聞 , 財經 , 零組件

記憶體廠商華邦電去年 Q4 迎匯兌利益,推升獲利表現維持高檔。展望 Q1,由於市場庫存回補的力道疲弱,估本季仍為淡季表現,營運 3 月回升,單季營收將有低個位數衰退,今年全年則以 Specialty DRAM 為成長主力,新產品 Nand Flash 則仍待良率以及規模提升。 繼續閱讀..

繼三星之後,東芝考慮海外設 NAND 新廠

作者 |發布日期 2014 年 12 月 27 日 10:04 | 分類 晶片 , 財經

全球 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)龍頭廠三星電子(Samsung Electronics)日前傳出考慮明年(2015 年)在中國西安興建 NAND 新廠房,而身為 NAND 二哥的東芝(Toshiba)聽到這消息不能忍,宣佈將興建 NAND 新廠,且設廠地點不一定會在日本。 繼續閱讀..

研調:原廠價格戰暫歇,12 月上旬 NAND Flash 合約價維持緩跌走勢 

作者 |發布日期 2014 年 12 月 17 日 15:16 | 分類 晶片

TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 研究顯示,美系廠商在季底財報結算壓力過後,不再採取積極價格戰,使得原廠間戰火稍緩。另一方面,因模組廠預期此波價格跌勢將持續,再加上手中庫存仍充足下,大多傾向月底再進行採購談判,以爭取更優惠的價格。12 月上旬因交易氣氛冷清,NAND Flash 合約價呈持平或僅微幅下跌 0-2%。  繼續閱讀..