Tag Archives: dram

TechNews 科技早報 – 20160527

作者 |發布日期 2016 年 05 月 27 日 8:42 | 分類 手機 , 會員專區 , 財經

Nand Flash 下半年吹起缺貨潮,模組廠樂
蘋果新機下半年上市,也已開始針對 Nand Flash、mobile RAM 進行備貨,推升需求提升,再加上供給已獲得控制,記憶體模組廠商包括威剛、創見、宇瞻、廣穎等可望迎記憶體產業環境好轉,其中 Nand Flash 下半年更可望有缺貨潮,推升價格可望有反彈空間… 繼續閱讀..

Nand Flash 下半年吹起缺貨潮,模組廠樂

作者 |發布日期 2016 年 05 月 26 日 11:00 | 分類 Apple , 手機 , 晶片

蘋果新機下半年上市,也已開始針對 Nand Flash、mobile RAM 進行備貨,推升需求提升,再加上供給已獲得控制,記憶體模組廠商包括威剛、創見、宇瞻、廣穎等可望迎記憶體產業環境好轉,其中 Nand Flash 下半年更可望有缺貨潮,推升價格可望有反彈空間。 繼續閱讀..

IBM 發表突破性新技術「PCM」,比快閃記憶體快 70 倍、寫入次數多近 1 千萬次

作者 |發布日期 2016 年 05 月 20 日 8:31 | 分類 晶片 , 物聯網 , 零組件

近年因行動裝置和物聯網快速成長,如何處理龐大資料也成了背後關鍵技術。IBM 研發出比快閃記憶體更快、比 DRAM 更可靠的光學儲存科技,有望成為新一代的資料處理科技,電腦、手機、物聯網和雲端人工智慧產業皆可受惠。 繼續閱讀..

TechNews 科技早報 – 20160517

作者 |發布日期 2016 年 05 月 17 日 8:53 | 分類 手機 , 會員專區 , 財經

聯電將籌組百人團隊開發 DRAM,惟對福建晉華恐耗時又一擲千金
晶圓代工廠聯電受中國大陸福建省晉華集成電路委託,開利基性 DRAM;值得注意的是,聯電雖有合法的 DRAM 專利,但當初的製程還停留在 0.13 微米,且現階段利基性 DRAM 主流製程均已經進入到 40 奈米以下… 繼續閱讀..