Tag Archives: ALD

選擇性沉積、低溫磊晶超關鍵！ASM 全面布局新材料與解方，迎戰 GAA、CFET 難題
作者 |發布日期 2025 年 09 月 19 日 14:45 |
line share
Linkedin share
line share
分類 半導體 , 晶圓 , 材料、設備

隨著台積電 2 奈米預期年底量產，明年（2026 年）下半年正式跨入埃米時代，晶片微縮已達到物理極限，原子層沉積（Atomic Layer Deposition，簡稱 ALD）成為延續摩爾定律、半導體微縮的關鍵技術之一。對此，《科技新報》特地專訪荷蘭半導體製造設備大廠 ASM 技術副總裁 Glen Wilk，幫助讀者更了解 ALD 在製程微縮的重要性。 繼續閱讀..

GAA、CFET 技術突破關鍵之一！ASM：磊晶技術成先進製程重要角色
作者 |發布日期 2025 年 09 月 09 日 21:36 |
line share
Linkedin share
line share
分類 半導體 , 晶片 , 材料、設備

荷蘭半導體製造設備商 ASM 台灣先藝科技技術副總裁 Glen Wilk 今（9 日）於 SEMICON Taiwan 2025 主題演講中提到，選擇性沉積（Area Selective Deposition）技術能有效解決先進製程中的挑戰，僅在指定位置沉積材料，有助提升製程良率、元件可靠性與整體效能，適用於 2 奈米及以下製程與異質整合、混合鍵合等先進封裝應用。

繼續閱讀..

2018 台灣國際半導體展儀科中心亮點展出
作者 |發布日期 2018 年 09 月 06 日 12:00 |
line share
Linkedin share
line share
分類 市場動態 , 晶片 , 零組件

「SEMICON Taiwan 台灣國際半導體展」匯集全世界頂尖的半導體科技廠商參與，連結了 IC 設計、製造、設備材料等環節，每年均吸引數萬人參觀。國家實驗研究院儀器科技研究中心（儀科中心）累積 40 多年光學與真空技術能量，於會場展示已通過半導體製程實際驗證之曝光機關鍵零組件，並展現原子層沉積技術的自主研發成果與客製服務績效。 繼續閱讀..

儀科中心成立聯合實驗室，與產學界推動半導體產業發展
作者 |發布日期 2015 年 03 月 04 日 17:00 |
line share
Linkedin share
line share
分類 市場動態 , 零組件

為推動我國半導體產業發展，國家實驗研究院儀器科技研究中心成立「原子層沉積聯合實驗室」服務平台，於 2015 年 3 月 4 日舉辦揭牌儀式，同時與台灣積體電路股份有限公司簽訂合作協議，並邀請國內學界及供應商，包括清華大學、虎尾科大、南美特、漢民科技、漢民微測、漢辰科技、大甲永和、柏朗豪斯特與美商 MSP 等，共同聚焦於原子層沉積製程設備與材料開發，合作推動台灣半導體產業發展。 繼續閱讀..