Tag Archives: 過渡金屬二硫族化物

扭曲的二維材料表現出意想不到電子行為,違反理論預測

作者 |發布日期 2024 年 12 月 31 日 16:46 | 分類 尖端科技 , 材料

僅單一原子層厚度的二維材料因獨特物理和化學性質備受關注,過去研究已知若將 2 片二維材料以特定角度相疊,可能會誘發超導等新特性,但最近荷蘭格羅寧根大學材料科學家 Antonija Grubišić-Čabo 團隊研究了堆疊的二硫化鎢材料片,發現其行為違背理論預測。 繼續閱讀..

以 TMD 材料取代矽,推進下一代更小、更有效率半導體晶片

作者 |發布日期 2024 年 07 月 12 日 17:07 | 分類 尖端科技 , 材料

根據摩爾定律,積體電路可容納的電晶體數目約每 2 年便增加 1 倍,但這條定律即將走到盡頭。隨著矽晶片越做越小,進入 2 奈米製程後功能、尺寸便幾乎達到物理極限,因此研究人員正在開發更小、更薄、更有效率的下一代晶片,以過渡金屬二硫屬化物(TMD)替代矽材料。 繼續閱讀..