比利時 imec（比利時微電子研究中心） 與根特大學（Ghent University） 宣布，300 毫米矽晶圓上成功外延生長 120 層 Si / SiGe 疊層結構，為推動 3D DRAM 的重要突破。 繼續閱讀..
3D DRAM 材料瓶頸突破！比利時實現 120 層 Si / SiGe 疊層 |
作者
蘇 子芸|發布日期
2025 年 08 月 25 日 11:45 |
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