ASML 宣布首款 0.55 數值孔徑（High-NA）EUV 曝光設備已列印出第一個圖案。最新貼文，High-NA EUV 系統成功列印出第一條 10 奈米密集線（dense lines）。 繼續閱讀..
紀念性一刻！ASML 最新 High-NA EUV，成功印首條 10 奈米密集線 |
作者
林 妤柔|發布日期
2024 年 04 月 18 日 16:28 |
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