台記憶體封測廠力成於 2014 年底拿下 DRAM 大廠美光大單,赴中國西安設 DRAM 封裝生產線,今 25 日舉行竣工儀式,宣布正式開始量產。 繼續閱讀..
力成西安封裝廠落成,攜美光全力拚量產 |
| 作者 liu milo|發布日期 2016 年 03 月 25 日 16:24 | 分類 晶片 , 會員專區 |
三星悄瘦身,今年連 DRAM、NAND Flash 投資恐都砍半! |
| 作者 liu milo|發布日期 2016 年 03 月 18 日 11:13 | 分類 Samsung , 晶片 , 會員專區 | edit |
全球景氣不甚明朗,據近來韓媒報導,韓國商業巨擘三星似乎開始調整腳步,先前才有韓媒指出,三星旗下事業正在加速大規模的重組,員工人數銳減、研發費用與研發中心投入的規模,也來到金融海嘯以來的低點。17 日韓國時報(The Korea Times)再引用外資報告指出,三星今年 DRAM、NAND Flash 投資金額都將對半砍,相較幾個 NAND Flash 廠商加大投資,產業是否出現消長同樣值得關注。 繼續閱讀..
供過於求加劇價格下跌,2015 年第四季 NAND Flash 營收衰退 2.3% |
| 作者 TechNews|發布日期 2016 年 03 月 01 日 15:30 | 分類 晶片 , 零組件 | edit |
2015 年第四季整體 NAND Flash 市況持續供過於求,除通路顆粒合約價下滑 9-10%
DRAM 將掀「1x nm」大戰!三星搶 Q1 量產 |
| 作者 MoneyDJ|發布日期 2015 年 12 月 30 日 15:42 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件 | edit |
日本總和情報網站 Gadget 速報 30 日轉述南韓科技媒體 ETNews 的報導指出,三星電子預估將在明年 Q1(2016 年 1-3 月)開始量產 1x-nano(18nm)DRAM 產品,且預估最遲也會在 Q2 量產。報導指出,三星開始量產 18nm DRAM 之後,有望藉此降低製造成本、提高獲利,而三星競爭對手南韓 SK Hynix 和美國美光(Micron)也預估將跟隨三星腳步於 2016 年內量產 1x nm 等級的 DRAM 產品,也宣布 DRAM 將進入「1x nm」大戰。
