SK Hynix 今年將會量產 36 層堆疊的 3D NAND 及 16nm TLC
Samsung 這兩年獲得更高的 NAND 及 DRAM 市場佔有率主要是靠技術推動,他們去年就率先量產了 V-NAND 技術的 3D NAND Flash , Samsung 之外的其他公司要到…
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作者
technewsdaily |
發布日期
2015 年 04 月 28 日 9:01 |
分類
手機
, 會員專區
, 財經
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SK Hynix 今年將會量產 36 層堆疊的 3D NAND 及 16nm TLC
Samsung 這兩年獲得更高的 NAND 及 DRAM 市場佔有率主要是靠技術推動,他們去年就率先量產了 V-NAND 技術的 3D NAND Flash , Samsung 之外的其他公司要到…
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