AI 驅動半導體需求，全球晶片微影技術領導廠商艾司摩爾 ASML 於 SEMICON Taiwan 分享新一代高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）微影技術。公司表示，透過該技術將協助晶片製造商簡化製造工序、提高產能，並降低每片晶圓生產的能耗，目標 2025 年再減少 30%~35% 能耗。
ASML分享其最新一代High-NA EUV微影技術，透過採用新的光學元件，將數值孔徑（Numerical Aperture）從0.33提升至0.55，提供更高的成像解析度，臨界尺寸（Critical Dimension, CD）可達8奈米，讓晶片製造商可以在同樣單位面積晶片上實較現今高出2.9倍電晶體密度；且成像對比度較0.33 NA EUV提高40%，可大幅降低成像缺陷。
ASML表示，身為半導體生態系一員，持續開發微影技術並與合作夥伴不斷創新，幫助晶片製造商以更具成本效益的方式量產尺寸更小、功能更強、更低功耗的晶片。
ASML High-NA EUV產品管理副總裁Greet Storms表示，透過導入High-NA EUV，客戶將可減少量產邏輯和記憶體晶片的製造工序，進而顯著降低製程缺陷、成本和生產週期。High-NA EUV（0.55 NA）與EUV（0.33 NA）設計有通用性，降低客戶導入風險和研發成本。
High-NA EUV微影系統2023年底陸續出貨，產能每小時可曝光超過185片晶圓，支援2奈米以下邏輯晶片及具有相似電晶體密度的記憶體晶片量產。
先進製程晶片製造導入EUV可簡化工序、減少光罩量，達產能和良率提升，降低生產每片晶圓的用電量。ASML預估，若先進製程導入EUV和High-NA EUV微影系統，到2029年，用ASML微影技術生產每片晶圓使用100度電，將為整體製程節省200度電。
ASML不斷致力透過研發創新降低能源消耗，冀與客戶密切合作下，能在提高生產力的同時，也減少製造每片晶圓所產生的能耗。為讓晶片製造商用更具成本效益的方式生產尺寸更小、功能更強、更節能的晶片，ASML提供全方位微影解決方案 – 包括微影系統和應用產品，同時為先進製程和成熟製程客戶提供具成本效益的解決方案來支援所有應用。
據ASML 2023年報，2018~2023年，ASML EUV曝光每片晶圓能耗減少近40%，更希望到2025年再減少30%~35%能耗。
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