電晶體需 3D 堆疊！韓半導體設備商開發 ALD 技術，降 EUV 製程需求
作者 | 發布日期 2024 年 07 月 11 日 17:44 | 分類 半導體 , 晶片 , 會員專區 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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電晶體需 3D 堆疊！韓半導體設備商開發 ALD 技術，降 EUV 製程需求

韓國半導體設備商 Jusung Engineering 董事長 Chul Joo Hwang 近日表示，未來半導體將把電晶體堆疊在一起，因為 DRAM 和邏輯晶片擴展已達極限，要像 NAND 一樣將電晶體堆疊，才能克服問題。

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