與 SK 海力士一較高下!三星證實明年推 300 層以上 V-NAND 作者 林 妤柔 | 發布日期 2023 年 10 月 19 日 16:20 | 分類 Samsung , 晶片 , 會員專區 | edit Loading... Now Translating... 南韓記憶體大廠三星分享 V-NAND(即 3D NAND)發展計畫,證實 2024 年將生產超過 300 層的第九代 V-NAND 記憶體,這將是業界最高層數。 文章看完覺得有幫助,何不給我們一個鼓勵 請我們喝杯咖啡 想請我們喝幾杯咖啡? 每杯咖啡 65 元 x 1 x 3 x 5 x 您的咖啡贊助將是讓我們持續走下去的動力 總金額共新臺幣 0 元 《關於請喝咖啡的 Q & A》 留給我們的話 取消 確認 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: 3D NAND 快閃記憶體 , 3D V-NAND , SK 海力士 , 三星