特斯拉將大減 SiC 用量震撼業界，調研機構直指 Trench MOSFET 與混合封裝成關鍵

作者 Pin | 發布日期 2023 年 03 月 03 日 16:18 | 分類半導體 , 晶片 , 會員專區

特斯拉將大減 SiC 用量震撼業界，調研機構直指 Trench MOSFET 與混合封裝成關鍵

特斯拉剛結束的投資人日雖然沒有任何新車動態，引發市場的失望聲浪，但他宣布要在下一代電動車平台上縮減 75% 的碳化矽（SiC）用量，卻成了業界最關注的訊息。對此，TrendForce 認為，未來電動車主逆變器將可能朝 SiC/ Si IGBT 的混合封裝發展，同時，SiC MOSFET 的技術可能將由 Planar 結構轉向 Trench 結構。