科學家開發新記憶體架構，可在 500°C 以上超高溫運作

傳統的 DDR 記憶體在特定溫度範圍內運作，通常不超過 100°C（約 212°F），但超過範圍可能導致資料丟失及溫控調頻（Thermal Throttling）。不過，密西根大學研究人員開發新記憶體架構，特性幾乎與 DDR 記憶體相反，操作溫度範圍至少為 260°C（約 500°F），並能在超過約 594°C（約 1,100°F）高溫運行。

這種非傳統記憶體設計利用電池特性，極端高溫下儲存數據。資料是透過在記憶體內部的兩層（半導體氧化鉭和金屬鉭）間移動帶負電的氧原子儲存。這些氧原子透過一種固態電解質在兩層鉭材料之間轉移，而固態電解質如同一道屏障，防止氧原子在兩層之間隨意跳動。

氧原子據稱是透過三個鉑電極（platinum electrodes）引導，控制每個氧原子從一層移到另一層，代表數據的改變。這些移動行為與電池類似，而三個電極控制氧原子是被吸入氧化鉭還是被推出，則類似電池充電或放電過程。

氧化鉭的氧含量據稱可以當絕緣體或導體，分別以數字 0 或 1 表示，使材料能在兩種電壓狀態間切換。

這種解決方案與傳統方式完全不同，現今記憶體技術主要依靠電子移動，但電子對溫度非常敏感。當溫度過高時，由於電流物理極限的影響，電子會變得無法控制。相反地，密西根大學提出這種特殊記憶體技術則依賴氧原子，不會受相同溫度限制。

研究員指出，這種以氧原子為基礎的解決方案，最低溫度也必須相當高，所以運行前需要加熱器將記憶體加熱到工作溫度，與內燃機類似。雖然目前尚未宣稱有最高溫度限制，但研究人員透露，這種記憶體可在超過 594°C（約 1,100°F）條件下儲存訊息狀態超過一天。因設計關係，這種解決方案比其他替代記憶體更節能。