SK 海力士擬開發下代 HBM 記憶體標準，性能比目前產品強大 30 倍

SK 海力士計劃開發新的 HBM 記憶體標準，速度將比現今的 HBM 產品快 30 倍，以在競爭激烈的 HBM 市場中取得領先地位。

SK 海力士副總裁 Ryu Seong-su 在 2024 年 SK 利川論壇上表示，公司對 HBM 市場有巨大野心，正努力推出高階次世代 HBM 記憶體產品，以快速創新該領域。

Ryu Seong-su 指出，目標是開發性能為目前 HBM 產品強大 20 至 30 倍的產品，並著重推出差異化產品。雖然他沒透露實際的 HBM 類型，但可能是 HBM4 變體或未來世代產品。

SK 海力士目標是透過在產品中整合先進功能，來主導 HBM 領域，這意味該公司準備在 HBM4 產品中實現巨大創新。HBM4 在單一封裝中使用邏輯和記憶體半導體。SK 海力士表示，採用新措施對未來發展相當重要，考慮 HBM4 具有潛在功能，將為未來定下基調。

SK 海力士也宣稱收到包括蘋果、微軟、Alphabet 和 NVIDIA 在內的 AI 市場主要科技公司的興趣。Ryu Seong-su 指出，正在迎合這些公司客製化需求。SK 海力士和三星都計畫 2025 年中或年底前推出各自的 HBM4 產品，有望整合在 NVIDIA 下一代 Rubin 或其他架構中。