韓國記憶體晶片廠商 SK 海力士(SK hynix Inc.)4 月 3 日宣布將斥資 38.7 億美元在美國印第安那州 West Lafayette 興建次世代高頻寬記憶體(HBM)先進封裝製造和研發設施。這項美國首見的計畫預計將驅動人工智慧(AI)供應鏈的創新、同時為當地帶來上千份工作機會。
SK 海力士美國廠 2028 年投產,CEO 稱需數百名工程師 |
|
作者
MoneyDJ |
發布日期
2024 年 04 月 12 日 11:30 |
分類
人力資源
, 會員專區
, 記憶體
| edit
Loading...
Now Translating...
|
韓國記憶體晶片廠商 SK 海力士(SK hynix Inc.)4 月 3 日宣布將斥資 38.7 億美元在美國印第安那州 West Lafayette 興建次世代高頻寬記憶體(HBM)先進封裝製造和研發設施。這項美國首見的計畫預計將驅動人工智慧(AI)供應鏈的創新、同時為當地帶來上千份工作機會。
文章看完覺得有幫助,何不給我們一個鼓勵
