朝 8 吋晶圓邁進,ST 攜手 Soitec 開發 SiC 基板製造技術

作者 | 發布日期 2022 年 12 月 07 日 17:21 | 分類 半導體 , 晶圓 , 會員專區 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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朝 8 吋晶圓邁進,ST 攜手 Soitec 開發 SiC 基板製造技術

意法半導體(ST)今日創新半導體材料設計製造公司 Soitec 聯手宣布宣布下一階段的碳化矽(SiC)基板合作計畫,ST 準備於 18 個月內完成 Soitec 碳化矽基板技術產前認證測試。此次合作目標為 ST 採用 Soitec 的 SmartSiC 技術製造未來 8 吋碳化矽基板,促進碳化矽元件與模組製造之業務,這項技術有望在中期實現並量產,以支援汽車電動化並提高工業系統效能。

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