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3.1c製程轉換損耗,是否會推升記憶體合約價?

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1c 製程轉換帶來的產能損耗與良率挑戰,確實是推升合約價的關鍵。由於 HBM 消耗的晶圓量是標準 DRAM 的三倍以上,當原廠將主力轉向 1c 等先進製程以支應 AI 需求時,會產生嚴重的產能排擠效應。在供給端擴產保守、需求端 AI 浪潮未歇的結構下,這種「位元供給受限」將使合約價在 2026 年前維持強勢漲勢,甚至連帶拉動成熟製程產品價格。

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