現代抗輻射晶片已透過「藍寶石基板矽」（SOS）與絕緣層上矽（SOI）等特殊製程，從材料底層解決半導體易受電磁脈衝（EMP）損毀的弱點。搭配法拉第籠物理屏蔽與強化的電路佈局，精密晶片能在極端輻射環境下穩定運作，徹底取代體積龐大、耗電且運算力低下的真空管。目前軍工趨勢已轉向高度整合的抗輻射系統單晶片（SoC），俄方仍沿用舊技術，多半是受限於高階軍規半導體供應鏈，而非技術上的「獨門絕技」。
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