東京威力科創（TEL）鎖定 AI 驅動的 HBM 超級週期，力拚 2030 財年 DRAM 互連蝕刻設備累計銷售達 5,000 億日圓。其核心策略在於五年內投入 1.5 兆日圓研發，深耕高階蝕刻技術以應對 HBM 多層堆疊與電容微縮挑戰。此外，TEL 積極佈局「中段製程」先進封裝，並透過在台設立台南營運中心等據點，近距離支援台積電等大客戶，意圖在 AI 晶片市場規模衝向兆元之際，逐步侵蝕競爭對手科林研發的市佔優勢。
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